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离子源应用于离子刻蚀 IBE
上海伯东代理美国考夫曼 KRI 离子源, 其产品霍尔离子源 EH400 HC 成功应用于离子蚀刻 IBE.
霍尔离子源离子抨击能量强, 蚀刻效率快, 可因应多种基材特性, 霍尔源单次使用长久, 耗材成本极低, 操作简易, 安装简易, 因此美国考夫曼霍尔离子源广泛应用于蚀刻制程及基板前处理制程.

霍尔离子源客户案例一: 某大学天文学系小尺寸刻蚀设备
系统功能: 对于 Fe, Se, Te ,PCCO 及多项材料刻蚀工艺.
样品尺寸: 2英寸硅芯片.
刻蚀设备: 小型刻蚀设备. 选用上海伯东美国考夫曼品牌霍尔离子源 EH400 HC
上海伯东离子源 EH400HC
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