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上海伯东美国 KRI 离子源又获半导体离子蚀刻 IBE 订单!
上海伯东代理美国 KRI 考夫曼离子源 RFICP 220 安装于离子蚀刻机 IBE 中, 实现半导体 8寸晶圆 wafer 的线路刻蚀.
------------------------------- 上海伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 ------------------------------
KRI 射频离子源 RFICP 220 高能量栅极离子源, 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 800 mA. 适用于预清洗,
辅助镀膜, 溅镀和蒸发镀膜, 离子蚀刻.
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型号 |
RFICP 220 |
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Discharge 阳极 |
RF 射频 |
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离子束流 |
>800 mA |
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离子动能 |
100-1200 V |
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栅极直径 |
20 cm Φ |
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离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
10-40 sccm |
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通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型压力 |
< 0.5m Torr |
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长度 |
30 cm |
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直径 |
41 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
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