普发氦质谱检漏仪

离子蚀刻机 20IBE-C
上海伯东日本原装进口适合中等规模量产使用的离子刻蚀机, 样品台可选直接冷却 / 间接冷却

φ4 inch X 6片	基板尺寸	< φ3 inch X 8片 < φ4 inch X 6片 < φ8 inch X 1片	可选
	样品台	样品台可选直接冷却 / 间接冷却0-90度旋转
	离子源	20cm 考夫曼离子源
	均匀性	±10% for 8”Ф
	硅片刻蚀率	20 nm/min
	温度	<100

NS 离子蚀刻机 20IBE-C 组成

离子束刻蚀机 IBE 特性:
1. 干法刻蚀, 物理蚀刻, 纳米级别的刻蚀精度
2. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状
3. 基板直接加装在直接冷却装置上,可以在低温环境下蚀刻.
4. 配置公转自转传输机构 ”Dry Chuck Planet ”, 使得样品可以得到比较均匀平滑的表面. 刻蚀均匀性 ≤±5%
5. 几乎满足所有材料的刻蚀, IBE 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料
6. 配置德国 Pfeiffer 分子泵和旋片泵
7. 刻蚀机设计使用自动化的操作流程, 非常友好的使用生产过程







自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套离子刻蚀机. 刻蚀机配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵. 伯东公司超过 50年的离子束刻蚀市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术! 上海伯东也是美国 KRi 离子源中国总代理, KRi 离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺.

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