KRi 考夫曼离子源

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. KRi 离子源在真空环境中实现薄膜沉积, 干式纳米刻蚀和修改材料表面性能.

在真空环境下, 通过使用美国 KRi 离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, 具有原子级控制的材料和表面特征.

美国 KRi 离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.

离子源       霍尔离子源                                       射频离子源                                  考夫曼离子源                              离子源中和器

霍尔离子源 eH 400

低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统

型号

离子束能量

最大离子束流

栅极直径

离子束流形状

eH 400

25-300eV

>750 mA

3.7”

> 45° 散射

霍尔离子源 eH 2000

离子源 eH 2000 带有水冷方式, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合大中型真空系统

离子源型号

离子束动能

最大离子束流

栅极直径

离子束流形状

eH 2000

50-250 V

10A

5.7”

> 45°散射

射频离子源 RFICP 100

适用于离子溅镀和离子蚀刻. 小尺寸设计但是可以输出 >350 mA 离子流.

型号

离子束动能

最大离子束流

栅极直径

离子束流形状

RFICP 100

100-1200 V

>350 mA

10 cm Φ

平行,聚焦,散射

霍尔离子源 eH 1000

eH 1000 低成本设计提供高离子电流, 特别适合中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻

型号

离子束动能

最大离子束流

栅极直径

离子束流形状

eH 1000

100-300 V

10A

5.7”

> 45°散射

霍尔离子源 eH 3000

适合大型真空系统, eH 3000 是目前市场上高效, 提供最高离子束流的离子源.

型号

离子束动能

最大离子束流

栅极直径

离子束流形状

eH 3000

50-250 V

20A

9.7”

> 45°散射

射频离子源 RFICP 40

RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内

型号

离子束动能

最大离子束流

栅极直径

离子束流形状

RFICP 40

100-1200 V

>100 mA

4 cm Φ

平行,聚焦,散射

线性霍尔离子源 eH Linear

线性离子源使用 eH 400 做为模块, 能应用于宽范围的衬底, 离子源长度高达 1 米, 通过严格调整模块间的距离可以实现更佳的均匀性和离子流

型号

离子束动能

最大离子束流

栅极直径

离子束流形状

eH Linear

50-300 V

NA

NA

> 45°散射

考夫曼离子源离子枪简介

KRI 考夫曼离子源 广泛用于镀膜之前处理( ISSP)及助镀(IABD)且有助于提高成膜之沉淀速率, 附着度, 可靠度, 增加折射率, 穿透率等.KRI 考夫曼离子源整体设计低耗材,安装简易,维护简单广泛应用在生产企业和科研单位

考夫曼离子源 e-Mission Filament

灯丝电子源是一款成本低廉的阴极和中和器, 灯丝被加热到很高的温度产生可发射的热电子. 结构简单容易安装和使用, 可快速更换. 特别适合于快速回圈的工艺和执行时间较短的真空设备.

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