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inTEST 热流仪 MOSFET 功率器件高低温测试
上海伯东美国 inTEST 高低温冲击热流仪, 提供半导体功率器件和集成电路研发过程中各类功率 MOSFET 器件, 光耦器件等芯片的高低温冲击测试, 广泛应用于汽车电子, 笔电, 5G 基站, 储能, 机器人, 消费电子等领域.
inTEST 热流仪 MOSFET 功率器件高低温测试解决方案
MOSFET 功率器件温度可靠性测试一般要求: -40 至 125 ℃
温度测试机器: inTEST ATS-545
测试方法: 将 MOSFET 器件放置于 inTEST 密闭玻璃罩内, 采用美国 inTEST DUT (测试元件) 方法, 可使被测芯片的温度与设定温度达到一致, 实现自动控制压缩空气温度的功能. 依靠这个功能, 温控箱的形状, 被测芯片的发热量, 工作空气吹到检查对象的路径, 都不会影响对被测芯片的温度控制.
1. 温度循环测试: 温度循环测试通常按照 JESD22-A104 标准执行,设置测试范围 -40 到+125℃, 持续数千小时, 以评估其在温度变化下的稳定性和可靠性.
2. 温度冲击测试: 对 MOSFET 器件进行快速低温到高温环境, 反之亦然, 以评估其对温度突变的反应
在芯片测试中, 可为测试计划确定相应的要求, 如温度循环实验, 不同等级的温变范围及温差循环数等. inTEST 热流仪可根据预先设定的温度范围, 实现快速的温度冲击, 如温度范围 -40℃～125℃, 可分别设置低温 -40℃, 常温 25℃ 及高温 125℃, 热流仪将按照先后顺序自动进行相应测试. 针对不同的测试应用, inTEST 可通过每秒快速升温或降温 18°C, 为 MOSFET 器件提供精确且快速的环境温度.
上海伯东美国 inTEST 始终努力探索多样的温度控制应用系统, 以支持温度测试行业的未来!
为您的射频, 微波, 电子和高功率设备进行高低温测试, 设备检测和故障分析.
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