射频离子源 RFICP 220
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射频离子源 RFICP 220

KRi 射频离子源 RFICP 220
上海伯东代理美国原装进口 KRi 射频离子源 RFICP 220 高能量栅极离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中, 射频离子源 RFICP 220 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 最佳的离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 标准配置下射频离子源 RFICP 220 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 1000 mA.
KRi 射频离子源 RFICP220

KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:

阳极

电感耦合等离子体
2kW & 2 MHz
射频自动匹配

最大阳极功率

>1kW

最大离子束流

> 1000mA

电压范围

100-1200V

离子束动能

100-1200eV

气体

Ar, O2, N2, 其他

流量

5-50 sccm

压力

< 0.5mTorr

离子光学, 自对准

OptiBeamTM

离子束栅极

22cm Φ

栅极材质

离子束流形状

平行,聚焦,散射

中和器

LFN 2000, MHC 1000

高度

30 cm

直径

41 cm

锁紧安装法兰

10”CF


KRI 射频离子源 RFICP 220 基本尺寸
射频离子源 RFICP220
射频离子源中和器

KRI 射频离子源 RFICP 220 应用领域:
预清洗
表面改性
辅助镀膜 (光学镀膜) IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE

射频离子源 RFICP 220 集成于半导体设备, 实现 8寸芯片蚀刻
射频离子源 RFICP220

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等领域, 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.

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