普发氦质谱检漏仪

氦质谱检漏仪 MOCVD 设备检漏
MOCVD ( Metal-organic Chemical Vapor Deposition ) 是在气相外延生长 (VPE) 的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术. MOCVD 是以Ⅲ族, Ⅱ族元素的有机化合物和V, Ⅵ 族元素的氢化物等作为晶体生长源材料, 以热分解反应方式在衬底上进行气相外延, 生长各种 Ⅲ-V族, Ⅱ-Ⅵ 族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料. 通常 MOCVD 系统中的晶体生长都是在常压或低压 (10-100Torr) 下通H2的冷壁石英 (不锈钢)反应室中进行, 衬底温度为 500-1200℃, 用直流加热石墨基座 (衬底基片在石墨基座上方), H 2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区.

MOCVD 设备需要检漏: 因为MOCVD生长使用的源是易燃, 易爆, 毒性很大的物质, 并且要生长多组分, 大面积, 薄层和超薄层异质材料. 因此在MOCVD系统的设计思想上, 必须考虑系统密封性.对于气体的输运系统, 管路和管道的接头等存在泄漏可能的部位需要重点排查, 保证反应系统无泄漏是MOCVD设备组装的关键之一.

上海伯东 MOCVD 设备检漏客户案例一: 某公司通过 MOCVD 生长出来的发光材料, 用于制备 OLED 灯, 经过伯东推荐选用移动式氦质谱检漏仪 ASM  390 + 遥控器, 方便系统检漏操作.

	检漏仪配有干式非接触式前级真空泵和涡轮分子泵, 满足半导体行业要求! 检测气体: 4He, 3He, H2 最小检测漏率: 真空模式: 1X10-12 mbar l/s 吸枪模式: 1X10-8 mbar l/s 对氦气的抽速: 10 l/s 前级泵抽速: 35 m3/h
	因为 MOCVD 的腔室都比较大, 焊接点偏多, 我们推荐客户使用适用于远程操作的无线遥控器, 方便用户一个人边喷氦气的同时边检漏操作.

上海伯东 MOCVD 设备检漏客户案例二: 某大型 LED 生产企业，共计采购24台氦质谱检漏仪 ASM 390 用于 MOCVD 设备检漏.

上海伯东 MOCVD 设备检漏客户案例三: 某 LED 生产企业, 累积采购 6台 ASM 340 用于设备检漏
MOCVD 需要检漏位置: 所有怀疑有漏的地方都需要进行检漏, 主要检漏源供给, 输运和尾气处理系统（例如管路接头、管道、焊缝等位置.
根据客户实际需要，MOCVD 检漏基本配置：氦质谱检漏仪 ASM 340 +干式真空泵 ACP 28 如下图所示：

MOCVD设备检漏方法：采用真空模式检漏
1. 将设备通过波纹软管连接检漏仪 ASM 340，确认连接完毕
2. 启动 ASM 340, 进入待机界面; 初次启动时间大约 3min, 以后启动 < 1min
3. 按下开始键, 先通过 bypass 阀门启动干式真空泵 ACP 28抽真空, 到达一定压力检漏仪 ASM 340开始工作, 同时在设备怀疑有漏的地方喷氦气; 若有漏, 检漏仪马上报警, 显示该喷射点有漏.
4. 检测完毕, 按下检漏仪待机键, 放气, 关闭电源, 移除连接管路.

结合了 Pfeiffer 与 Adixen 两家检漏仪的技术优势, 上海伯东德国 Pfeiffer 推出全系列新型号氦质谱检漏仪, 从便携式检漏仪到工作台式检漏仪满足各种不同的应用. 氦质谱检漏仪替代传统泡沫检漏和压差检漏, 利用氦气作为示踪气体可精确定位, 定量漏点. 氦质谱检漏仪满足单机检漏, 也可集成在检漏系统或 PLC. 推荐氦质谱检漏仪应用 >>

鉴于客户信息保密, 若您需要进一步的了解 MOCVD 设备检漏, 请参考以下联络方式
上海伯东: 叶小姐                                  台湾伯东: 王小姐
T: +86-21-5046-3511 ext 109             T: +886-3-567-9508 ext 161
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