Aston™ 质谱分析仪保护 CVD 工艺免受干泵故障的影响
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Aston™ 质谱分析仪保护 CVD 工艺免受干泵故障的影响

Atonarp 质谱分析仪 Aston™ 半导体 CVD / ALD 应用
上海伯东代理日本 Atonarp 过程控制质谱仪 Aston™ 为半导体生产而设计, 作为一个强大的平台, Aston™ 可以取代多种传统工具, 提供半导体制程中 ALD, CVD, 蚀刻, ALE 和腔室在大批量生产中的气体侦测分析, 实现尾气在线监控, 诊断并在一系列应用中提供更高的控制水平, 适用于光刻, 电介质和导电蚀刻及沉积, 腔室清洁, 腔室匹配和消解.

Aston™ 质谱分析仪耐受腐蚀性气体和气化污染物冷凝液, 能够在半导体生产遇到的恶劣工况下可靠运行, 与传统质量分析仪相比, 使用 Aston™ 的维修间隔更长. 它包括自清洁功能, 尽可能的清除由于某些工艺中存在的冷凝物沉积而导致的污垢积累.

Aston™ 质谱分析仪典型应用: 保护 CVD 工艺免受干泵故障的影响
真空泵是半导体加工厂中应用广泛的设备之一. 真空泵对于在真空环境操作下的各种化学气相沉积工艺至关重要, 这些工艺在真空下运行, 以确保在较低的加工温度下获得均匀, 保形的沉积涂层. 干泵通常是惰性且可靠的, 但在苛刻的半导体制造工艺中进行泵送时, 干泵可能会出现意外故障.

灾难性故障
电介质沉积冷凝液和苛刻的工艺气体 (如 NF3) 可能会导致性能下降或突然失效模式, 包括沉积物突然吸入, 排气堵塞, 沉积导致干泵卡死以及干泵部件的腐蚀退化. 干泵故障通常会对 10片甚至 100片在加工中的晶圆造成不可修复的损坏. 此外, 工具停机和清理可能会导致大量开支和收入损失.
CVD 过程中受到污染的干泵CVD 工艺过程中, 已污染的干泵

上海伯东 Aston™ 质谱分析仪提供解决方案
通过在故障前, 提前更换或使干泵离线, 可以减轻灾难性的真空损失, 从而提高生产线良率.

数据驱动干泵故障预测. 通过测量进入 (进气) 和排出 (排气) 干泵的气体的分子类型和质量 (分压), 可以对破坏性腐蚀或沉积物堆积进行建模. 仅气体压力和体积仅部分指示气流的腐蚀性或堵塞性. 至关重要的是流经干泵的气体成分. Aston™ 质谱分析仪通过对干泵暴露在气体浓度下的情况进行建模, 并将模型与实际泵故障相关联, 可以较准确的预测干泵的预期运行寿命.

在恶劣的 CVD 环境中, Aston™ 利用可操作的数据预测和防范因 PV-CVD 干泵引起的灾难性故障, 能够对破坏性腐蚀或沉积进行预测建模, 优化氮气吹扫成本.
适用场景: 多个腔室连接到 1个干泵, 高浓度的电介质会导致灾难性的泵故障 (一次损失 10-100 片的晶圆)

Aston CVD 典型应用: Dry pump 干泵排气在线监测,诊断

通过使用上海伯东 Atonarp 过程控制质谱仪 Aston™ 可以提高半导体制造工艺的产量, 吞吐量和效率, 此款质谱仪可以在新工艺腔室的组装过程中进行安装, 也可将其加装到已运行的现有腔室, 可在短时间内实现晶圆更高产量!  Atonarp 质谱由统一的软件平台, 光学和质谱技术的突破性创新提供支持, 可提供实时, 可操作, 全面的分子谱分析数据.

Atonarp Aston™ 质谱仪半导体行业应用
1. 介电蚀刻: Dielectric Etch
2. 金属蚀刻: Metal Etch EPD
3. CVD 监测: CVD Monitoring
4. 腔室清洁 EPD: Chamber Clean EPD
5. 腔室指纹: Chamber Fingerprinting
6. 腔室匹配: Chamber Matching
7. 高纵横比蚀刻: High Aspect Ratio Etch
8. 小开口面积 <0.3% 蚀刻: Small Open Area <0.3% Etch
9. ALD
10. ALE


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