KRI 霍尔离子源 eH 2000
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KRI 霍尔离子源 eH 2000

KRI 离子源(KRI Ion Source ) eH 2000 系列:
KRI 离子源 eH 2000 是一款更强大的版本,带有水冷方式,他具备 eH 1000 所有的性能,而且可以产生更高的离子束功率,适合更高的工艺等级和更大的系统。水冷方式有助于降低衬底温度,可适用于塑胶衬底。

KRI 霍尔离子源 eH 2000 技术参数:

型号

eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO

供电

DC magnetic confinement

  - 电压

40-300V VDC

  - 离子源直径

~ 5 cm

  - 阳极结构

模块化

电源控制

eHx-30010A

配置

-

  - 阴极中和器

Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

  - 离子束发散角度

> 45° (hwhm)

  - 阳极

标准或 Grooved

  - 水冷

前板水冷

  - 底座

移动或快接法兰

  - 高度

4.0'

  - 直径

5.7'

  - 加工材料

金属
电介质
半导体

  - 工艺气体

Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

  - 安装距离

16-45”

  - 自动控制

控制4种气体

* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder

 

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