KRI 考夫曼离子源

1978 年 Dr.Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson,Inc 公司,研发生产考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless。美国考夫曼离子源历经 30 年改良及发展已取得多项专利。广泛用于离子清洗、离子蚀刻、辅助镀膜领域。上海伯东是美国考夫曼离子源(离子枪)中国总代理。

考夫曼离子源创始人 Dr.Harold R.Kaufman 简介

Kaufman 考夫曼博士 1926 年在美国出生,1951 年加入美国 NASA 路易斯研究中心,1971 年考夫曼博士获得美国宇航局杰出服务奖。从 NASA 退休后,考夫曼博士在 1978 年成立了 Kaufman & Robinson,Inc 公司,开始研发生产适合工业使用的霍尔离子源考夫曼离子源

KRI 考夫曼离子源 Gridded KDC 系列

考夫曼离子源 Gridded KDC 特性:
栅极,低电流高能量宽束型离子源
离子束可选集中,平行,散设

KRI 考夫曼离子源离子枪简介

KRI 考夫曼离子源 广泛用于镀膜之前处理( ISSP)及助镀(IABD)且有助于提高成膜之沉淀速率, 附着度, 可靠度, 增加折射率, 穿透率等.KRI 考夫曼离子源整体设计低耗材,安装简易,维护简单广泛应用在生产企业和科研单位

KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列

霍尔离子源 Gridless  eH 特性:
无栅极,高电流低能量宽束型离子源
发散光束 >45

KRI 霍尔离子源 eH 200

eH200 是霍尔离子源型eH 系列中尺寸最小,低成本设计离子源

KRI 霍尔离子源 eH 400

霍尔离子源型号

eH 400,eH400 LEHO

Discharge size @ source

~ 4 cm

KRI 霍尔离子源 eH 1000

霍尔离子源型号

eH1000,eH1000L,eH1000xO2,eH1000LEHO

Discharge size @ source

~ 5 cm

KRI 霍尔离子源 eH 2000

霍尔离子源型号

eH2000,eH2000L,eH2000xO2,eH2000LEHO

Discharge size @ source

~ 5 cm

KRI 考夫曼离子源 RFICP 40

目前 KRI 射频离子源 RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内

KRI 考夫曼离子源 RFICP 100

 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 100 紧凑设计,适用于离子溅镀和离子蚀刻.小尺寸设计但是可以输出 >400 mA 离子流

1234>