KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列
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KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列

美国 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列
美国 KRI 霍尔离子源 eH 系列紧凑设计,高电流低能量宽束型离子源,提供原子等级的细微加工能力, 霍尔离子源 eH 可以有效地以纳米精度来处理薄膜及表面,多种型号满足科研及工业、半导体应用。霍尔离子源高电流提高镀膜沉积速率,低能量减少离子轰击损伤表面,宽束设计有效提高吞吐量和覆盖沉积区。整体易操作,易维护。霍尔离子源 eH 提供一套完整的方案包含离子源、电子中和器、电源供应器、流量控制器 (MFC)等等可以直接整合在各类真空设备中,例如镀膜机,load lock、溅射系统、卷绕镀膜机等。

美国 KRI 霍尔离子源 eH 特性:
无栅极
高电流低能量
发散光束 >45
可快速更换阳极模块
可选 Cathode/Neutralize 中和器

美国 KRI 霍尔离子源 eH 主要应用:
辅助镀膜 IBAD
溅镀&蒸镀 PC
表面改性、激活 SM
沉积 (DD)
离子蚀刻 LIBE
光学镀膜
Biased target ion beam sputter deposition (BTIBSD)
Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)

例如:
1. 离子辅助镀膜及电子枪蒸镀
2. 线上式磁控溅射及蒸镀设备预清洗
3. 表面处理
4. 表面硬化层镀膜
5. 磁控溅射辅助镀膜
7. 偏压离子束磁控溅射镀膜

美国 KRI 霍尔离子源 Gridless eH

霍尔离子源 eH 技术参数:

型号

eH200

eH400
eH400LE

eH1000
eH1000LE
eH1000LO

eH1000xO2 

eH2000
eH2000LE
eH2000HO    

eH3000
eH3000LO
eH3000MO

Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others

Cathode/Neutralizer 

F or HC

F or HC

F or HC

F or HC

F or HC

HC

HC

HC

电压

30-300V

50-300V

30-150V

50-300V

30-150V

50-300V

100-300V

50-300V

30-150V

50-250V

50-250V

50-300V

50-250V

电流

2A

5A

10A

10A

12A

5A

10A

10A

15A

15A

20A

10A

15A

散射角度

>45

>45

>45

>45

>45

>45

气体流量

1-15sccm

2-25sccm

2-50sccm

2-50sccm

2-75sccm

5-100sccm

高度

2.0“

3.0“

4.0“

4.0“

4.0“

6.0“

直径

2.5“

3.7“

5.7“

5.7“

5.7“

9.7“

水冷

可选

可选

可选

可选

F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current

 

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