KRI 射频离子源典型应用 IBE 离子蚀刻
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KRI 射频离子源典型应用 IBE 离子蚀刻

KRI 射频离子源典型应用 IBE 离子蚀刻
上海伯东美国 KRI 射频离子源安装在日本 NS 离子蚀刻机中, 对应用于半导体后端的 6寸晶圆进行刻蚀
Hakuto (NS) 离子蚀刻机技术规格:

型号

NS 7.5IBE

NS 10IBE

NS 20IBE-C

NS 20IBE-J

适用范围

适用于科研院所,实验室研究

适合小规模量产使用和实验室研究

适合中等规模量产使用的离子刻蚀机

适合大规模量产使用的离子刻蚀机

基片尺寸

Φ4 X 1片或
Φ6 X 1片

φ8 X 1片

φ3 inch X 8片
φ4 inch X 6片
φ8 inch X 1片

Φ4 inch X 12片
φ5 inch X 10片
φ6 inch X 8片

离子源

8cm 或 10cm
考夫曼离子源

10cm NS离子源

20cm 考夫曼离子源

20cm 考夫曼离子源

上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长
RFICP  系列提供完整的套装, 套装包含离子源, 电子供应器, 中和器, 电源控制等
RFICP  系列离子源是制造精密薄膜和表面的有效工具, 有效改善靶材的致密性光透射,均匀性,附着力等
 

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