KRI 射频离子源 RFICP 系列
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KRI 射频离子源 RFICP 系列

KRI 射频离子源 RFICP 系列
上海伯东美国 KRI 射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 射频源 RFICP  系列提供完整的套装, 套装包含离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动控制器等. 射频离子源适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 有效改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等.
射频离子源
射频离子源 RFICP 系列技术参数:

型号

RFICP 40

RFICP 100

RFICP 140

RFICP 220

RFICP 380

Discharge 阳极

RF 射频

RF 射频

RF 射频

RF 射频

RF 射频

离子束流

>100 mA

>350 mA

>600 mA

>800 mA

>1500 mA

离子动能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

栅极直径

4 cm Φ

10 cm Φ

14 cm Φ

20 cm Φ

30 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

 

流量

3-10 sccm

5-30 sccm

5-30 sccm

10-40 sccm

15-50 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

长度

12.7 cm

23.5 cm

24.6 cm

30 cm

39 cm

直径

13.5 cm

19.1 cm

24.6 cm

41 cm

59 cm

中和器

LFN 2000


射频离子源 RFICP 系列应用:
离子辅助镀膜 IBAD ( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )
离子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )
表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )
离子蚀刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)
离子溅镀 IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures)
离子溅射镀膜

上海伯东离子源典型应用: 射频离子源 RFICP 325 安装在 1650 mm 蒸镀机中, 实现离子辅助镀膜 IBAD 及预清洁 Pre-clean, 完成 LED-DBR 镀膜生产
右图: 在高倍显微镜下检视脱膜测试, 样品无崩边

射频离子源

上海伯东离子源典型应用: 安装在离子蚀刻机中的 KRI 射频离子源, 对应用于半导体后端的6寸晶圆进行刻蚀. 右图: 射频离子源 RFICP 安装于腔内

射频离子源

 

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

若您需要进一步的了解 KRI 射频离子源, 请参考以下联络方式
上海伯东: 叶小姐                                  台湾伯东: 王小姐
T: +86-21-5046-3511 ext 109             T: +886-3-567-9508 ext 161
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