NS 离子蚀刻机 10IBE
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NS 离子蚀刻机 10IBE

NS 离子蚀刻机 10IBE :适合小规模量产使用和实验室研究,一般通氩气 Ar,无污染,内部使用美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 40 产生轰击离子;终点检出器采用 Pfeiffer 残余质谱监测当前气体成分,判断刻蚀情况。

基板尺寸

< φ8 X 1wfr

 NS 离子刻蚀机检测器可选

样品台

直接冷却(水冷)0-90 度旋转

离子源

4 cm,8cm,10cm,16cm
考夫曼离子源

均匀性

±6% for 4”Ф

硅片刻蚀率

20 nm/min

温度

<100


伯东离子蚀刻机主要优点:
1. 干式制程的微细加工装置,使得在薄膜磁头,半导体元件, MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用。
2. 物理蚀刻的特性,无论使用什么材料都可以用来加工,所以各种领域都可以被广泛应用。
3. 配置使用美国考夫曼公司原装制造的离子源。
4. 刻蚀角度可以任意调整,蚀刻可以根据需要做垂直,斜面等等加工形状。
5. 基板直接加装在直接冷却装置上,所以可以在低温环境下蚀刻。
6. 配置公转自转传输机构,使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面。
7. 机台设计使用自动化的操作流程,所以可以有非常友好的使用生产过程。

NS 离子蚀刻机 10IBE 组成:
NS 离子刻蚀机

 

通氩气 Ar 不同材料的蚀刻速率:
NS 离子蚀刻机
 

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