射频离子源 RFICP 220
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射频离子源 RFICP 220

KRI 射频离子源 RFICP 220
上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 220 高能量栅极离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中, 射频离子源 RFICP 220 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 最佳的离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 标准配置下射频离子源 RFICP 220 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 800 mA.

KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:

型号

RFICP 220

Discharge 阳极

RF 射频

离子束流

>800 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

20 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

流量

10-40 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

30 cm

直径

41 cm

中和器

LFN 2000


KRI 射频离子源 RFICP 220 应用领域:
预清洗
表面改性
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE

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