考夫曼离子源 RFICP 40
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考夫曼离子源 RFICP 40

KRI 考夫曼离子源 RFICP 40
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射频离子源 RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内. 离子源 RFICP 40 设计采用创新的栅极技术用于研发和开发应用. 离子源 RFICP 40 无需电离灯丝设计, 适用于通气气体是活性气体时的工业应用.标准配置下 RFICP 40 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.

离子源 RFICP 40 特性:
1. 离子源放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长.
2. 离子源结构模块化设计, 使用更简单; 基座可调节, 有效优化蚀刻率和均匀性.
3. 提供聚焦, 发散, 平行的离子束
4. 离子源自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行
5. 栅极材质钼和石墨,坚固耐用
6. 离子源中和器 Neutralizer, 测量和控制电子发射,确保电荷中性

KRI 考夫曼离子源 RFICP 40 技术参数:

型号

RFICP 40 / RFICP 40FN

供电

RF 射频感应耦合

 - 阴极灯丝

-

 - 射频功率

0.6 KW

电子束

OptiBeam™

 - 栅极

专用

 -栅极直径

4 cm

中和器

LFN 2000

电源控制

RFICP 1510-2-06-LFNA

配置

-

 - 阴极中和器

LFN1000 or MHC1000 or RFN

 - 安装

移动或快速法兰

 - 高度

5.0'

 - 直径

5.3'

 - 离子束

聚焦
平行
散设

 -加工材料

金属
电介质
半导体

 -工艺气体

惰性
活性
混合

 -安装距离

6-18”

 - 自动控制

控制4种气体

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

KRI 考夫曼离子源 RFICP 40 应用领域:
预清洗
表面改性
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE

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