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上海伯东美国 inTEST ATS-545 热流仪用于12寸存储器芯片 MRAM 研发测试

MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) 是一种非易失性 (Non-Volatile) 的磁性随机存储器. 它拥有静态随机存储器 (SRAM) 的高速读取写入能力, 以及动态随机存储器 (DRAM) 的高集成度, 而且基本上可以无限次地重复写入. 上海伯东美国 inTEST ThermoStream 热流仪通过快速提供高低温测试环境, 成功应用于 12寸存储器芯片 MRAM 研发测试！

存储器芯片高低温冲击客户案例: 某半导体公司正在合作进行 14纳米先进制程工艺技术的开发, 专注于开发和制造 12寸存储器 MRAM 技术, 目前正在建置完整的12寸芯片产能. 进过上海伯东推荐, 选用美国 inTEST ATS-545-M 热流仪对封装后的器件在 -40 °C 至 125°C 进行快速高低温冲击测试.

inTEST ATS-545-M 热流仪主要技术参数

ATS-545-M 温度范围 °C: -75 至 + 225(50 HZ) 变温速率: -55至 +125°C, 约 10 S 或更少                +125至 -55°C, 约 10 S 或更少 输出气流量: 4 至 18 scfm 温度精度: ±1℃ 通过美国NIST 校准 温度显示分辨率: ±0.1℃ 温度传感器: T或K型热电偶 防静电设计, 不需要 LN2 或 LCO2 冷却

与传统高低温测试箱对比, inTEST 热流仪主要优势：
1. 变温速率更快
2. 温控精度：±1℃
3. 实时监测待测元件真实温度, 可随时调整冲击气流温度
4. 针对 PCB 电路板上众多元器件中的某一单个IC(模块), 可单独进行高低温冲击, 而不影响周边其它器件
5. 对测试机平台 load board上的 IC进行温度循环 / 冲击; 传统高低温箱无法针对此类测试
6. 对整块集成电路板提供准确且快速的环境温度

作为美国 inTEST 中国总代理, 上海伯东将做好服务保障, 助力国内企业加快前沿科技进程.

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