上海 应用讯息
上海伯东日本 Atonarp 质谱分析仪提供半导体行业过程气体分析解决方案
上海伯东代理日本 Atonarp 过程控制质谱仪 Aston™, 通过使用分子传感技术, 提供半导体制程中 ALD, CVD, 蚀刻, ALE 和腔室在大批量生产中的气体侦测分析, 实现尾气在线监控, 诊断, 为半导体过程控制提供解决方案, 提高半导体制造工艺的产量, 吞吐量和效率, 在现有生产工艺工具上加装 Aston™, 可在短时间内实现晶圆更高产量!
Atonarp 过程控制质谱仪 Aston™ 半导体工艺解决方案案例
保护 CVD 工艺免受干泵故障的影响:
Aston™ 质谱分析仪耐受腐蚀性气体和气化污染物冷凝液, 在恶劣的 CVD 环境中, Aston™ 利用可操作的数据预测和防范因 CVD 干泵引起的灾难性故障.
EUV 极紫外光源卤化锡原位定量:
EUV 极紫外光刻技术越来越多地用于支持 <10nm 工艺技术的关键尺寸图案形成. 管理这些价值超过 2亿美元光刻机的正常运行时间和生产量对晶圆 Fab 厂的经济至关重要. Atonarp Aston™ 过程质谱分析仪通过快速, 可操作, 高灵敏度的分子诊断数据尽可能实现反射板镀锡层清洁, 并且 Aston™ 过程质谱的实时氢气 H2 监测也降低了每个 EUV 工具的氢气消耗.
提高 low-k 电介质沉积的吞吐量:
沉积晶圆通量是晶圆厂 FAB 效率的关键指标之一, 也是晶圆厂 FAB 不断改进以降低每次移动成本和减少资本支出的关键指标. Atonarp Aston™ 质谱仪提供腔室清洁终点检测方案已成功应用于 low-k 电介质沉积应用 ( 特别是氮化硅 Si3N4 ), 在减少颗粒污染的同时, 缩短了生产时间.
对小开口区域的蚀刻有最高的灵敏度:
Aston™ 质谱仪 的 OA% 灵敏度显示为 <0.25%, 其检测限比 OES（LOD 约 2.5%）高出一个数量级. 此外, Aston™内部产生的基于等离子体的电离源允许它在存在腐蚀性蚀刻气体的情况下工作, 无论处理室中是否存在等离子体源.
ALD 工艺控制的原位计量:
Aston™ 质谱分析仪是一款快速, 强大的化学特异性气体质谱仪, 提供 ALD 过程控制解决方案, 可在这些非等离子体（“lights-off”）过程中提供原位计量和控制. 它可以实现快速, 化学特定的原位定量气体分析, 低至十亿分之几的水平, 提供 ALD 过程控制所需的实时数据.
沉积和刻蚀3D NAND 存储器
3D NAND 工艺通过堆叠存储单元, 提供更高的比特密度, 上海伯东 Aston™ 质谱分析仪适用于先进半导体工艺（如沉积和蚀刻）所需的定量气体分析. 沉积应用中: 实时过程气体监控，以驱动自动化工具调整以实现过程控制, 沉积步骤之间的终点检测, 实现层的化学计量工程; 蚀刻应用中: 以 ppb 为单位测量的工艺气体和副产品, 启用端点腔室清洁.
上海伯东代理日本 Atonarp Aston™ 质谱分析仪提供稳健, 量化和实时的计量. 原位量化计量在关键灵敏度 / 速度指标上比其他残留气体分析仪优于 10 倍至 100 倍, 并具有强大的等离子电离解决方案, Aston能够处理苛刻的工艺气体和副产品. 为半导体 Sub-fab 提供安全, 可持续性和节约解决方案.
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