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霍尔效应测量磁场应用
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霍尔效应测量磁场应用

低温霍尔效应测量磁场应用 KANG Static Insert SN 150
上海伯东代理英国 NanoMagnetics 仪器霍尔效应测量系统为 Van der Pauw 和 Hall Bar 测量提供了一个创新的解决方案. 可用于测量半导体材料的载流子浓度, 迁移率, 电阻率, 霍尔系数, 导电类型等重要参数, 是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性的必备工具.

如下是某知名大学低温霍尔效应测量案例
1. 测试样品: NMI 标准样品, P15-A
2. 应用电流 1e- 4a
3. VDP 测量的外加磁场为 1T
4. 在 1.5K 时, 磁场扫描 为 0 - 5T - 0 循环

霍尔效应测试仪器

霍尔效应测试仪

英国 NanoMagnetics 霍尔效应测试仪
电阻率测量范围: 10-4 至 109 Ω-cm
迁移率: 1 至 107 cm2 / Volt-sec
浓度: 107 至 1021 per cm3
电源: ±2 nA 至 ±20 mA, ±12 V compliance
最小霍尔电压测量: 0.1 μV

支持 Van der Pauw 和 Hall bar 成形试样
磁场: 0.6 Tesla 或 1 Tesla 永久磁铁
温度范围在 80 - 750K, 分辨率 ±0.2 K, 单一系统
Pt - 100 电阻温度计, 750 K 加热器, PID 温控
样品尺寸 从 5 x 5 mm 至 15 mm x 15 mm 并且厚度 < 2 mm


英国 NanoMagnetics 霍尔效应测量系统, 电阻测量结果

300K 时 电阻测量结果

电阻温度图

ContactLead
[I+I-V+V-]

Resistance

[Ohm]

低温霍尔效应测量磁场应用

1-2-1-2

3.62E +03

3-4-3-4

3.62E +03

1-3-1-3

3.87E +03

2-4-2-4

3.93E +03

*1-2 和 3-4 电阻几乎相同. 1-3 和2-4 ( 对角线 ) 电阻几乎相同

冷却和加热图显示了相同的结果, 因此, 塞诺克斯传感器和样品根据静态插入的位置是合适的, 否则图就不一样了. 此外,测量结果是可重复的. [I+I-V+V-] 触点引线为 [1-2-4-3]


在 1.5K 时霍尔效应 Van der Pauw 测量结果

接触头

[I+I-V+V-]

电阻率

[Ohm.cm]

Sh.电阻

[Ohm/sq]

Carr.Density

[/cc]

HallCoeff.

[cc/C]

Mobility

[cm^2/(V.s)]

CarrType

[+/-]

1-2-3-4

3.54E - 04

3.54E + 02

6.00E + 17

1.04E + 01

2.94E + 04

-1.00E +00

2-3-4-1

3.54E - 04

3.54E + 02

6.00E + 17

1.04E + 01

2.94E + 04

-1.00E +00


电阻磁场图
电阻磁场图-霍尔效应测量系统
霍尔系数 - 温度图
霍尔系数-霍尔效应测量系统
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