上海 KRi 考夫曼离子源
1978 年 Dr. Kaufman 考夫曼博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. KRi 离子源在真空环境中实现薄膜沉积, 干式纳米刻蚀和修改材料表面性能.
在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, 具有原子级控制的材料和表面特征.
美国 KRi 离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.
考夫曼离子源 KDC 10
小型考夫曼离子源, 适用于集成在小型的真空设备中, 例如预清洗, 离子溅射, 离子蚀刻
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型号 |
离子束动能 |
最大离子束流 |
栅极直径 |
离子束流形状 |
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KDC 10 |
100-1200 V |
>10 mA |
1 cm Φ |
聚焦, 平行, 散射 |
考夫曼离子源 KDC 40
小型考夫曼离子源, 低成本直流栅极离子源
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型号 |
离子束动能 |
最大离子束流 |
栅极直径 |
离子束流形状 |
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KDC 40 |
100-1200 V |
>100 mA |
4cm Φ |
聚焦, 平行, 散射 |
霍尔离子源 eH 400
低成本设计提供高离子电流, KRi 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统
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型号 |
离子束能量 |
最大离子束流 |
栅极直径 |
离子束流形状 |
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eH 400 |
25-300eV |
>750 mA |
3.7” |
> 45° 散射 |
霍尔离子源 eH 2000
离子源 eH 2000 带有水冷方式, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合大中型真空系统
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离子源型号 |
离子束动能 |
最大离子束流 |
栅极直径 |
离子束流形状 |
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eH 2000 |
50-250 V |
10A |
5.7” |
> 45°散射 |
射频离子源 RFICP 100
适用于离子溅镀和离子蚀刻. 小尺寸设计但是可以输出 >350 mA 离子流.
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型号 |
离子束动能 |
最大离子束流 |
栅极直径 |
离子束流形状 |
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RFICP 100 |
100-1200 V |
>350 mA |
10 cm Φ |
平行,聚焦,散射 |
霍尔离子源 eH 1000
eH 1000 低成本设计提供高离子电流, 特别适合中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻
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型号 |
离子束动能 |
最大离子束流 |
栅极直径 |
离子束流形状 |
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eH 1000 |
100-300 V |
10A |
5.7” |
> 45°散射 |
霍尔离子源 eH 3000
适合大型真空系统, eH 3000 是目前市场上高效, 提供最高离子束流的离子源.
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型号 |
离子束动能 |
最大离子束流 |
栅极直径 |
离子束流形状 |
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eH 3000 |
50-250 V |
20A |
9.7” |
> 45°散射 |
射频离子源 RFICP 40
RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内
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型号 |
离子束动能 |
最大离子束流 |
栅极直径 |
离子束流形状 |
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RFICP 40 |
100-1200 V |
>100 mA |
4 cm Φ |
平行,聚焦,散射 |
线性霍尔离子源 eH Linear
线性离子源使用 eH 400 做为模块, 能应用于宽范围的衬底, 离子源长度高达 1 米, 通过严格调整模块间的距离可以实现更佳的均匀性和离子流
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型号 |
离子束动能 |
最大离子束流 |
栅极直径 |
离子束流形状 |
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eH Linear |
50-300 V |
NA |
NA |
> 45°散射 |
