上海 KRi 考夫曼离子源
1978 年 Dr. Kaufman 考夫曼博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. KRi 离子源在真空环境中实现薄膜沉积, 干式纳米刻蚀和修改材料表面性能.
在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, 具有原子级控制的材料和表面特征.
美国 KRi 离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.
KRI 霍尔离子源典型应用 PC 预清洁后,IBAD 辅助镀膜
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上海伯东离子源典型应用: 霍尔离子源应用于光学镀膜机加装, 镀膜腔体约 2 m3, 加装霍尔源 EH 4200, 实现预清洁 PC 和辅助镀膜 IBAD |
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KRi 霍尔离子源典型应用溅镀镀膜预清洁工艺 Pre-clean
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霍尔离子源典型应用: EH400F 应用于 6寸硅片电源管理集成电路芯片 PMIC 溅镀镀膜前预清洁工艺 Pre-clean, 在电源管理集成电路芯片 PMIC 的压电材料镀膜前将硅片做清洁及平整化处理, 提高膜层的附着力及提高生产良率. |
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KRi 考夫曼离子源典型应用 IBF 离子束抛光工艺
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上海伯东离子源典型应用: 考夫曼离子源通过控制离子的强度及浓度, 使抛光刻蚀速率更快更准确, 抛光后的基材上获得更平坦, 均匀性更高的薄膜表面 |
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射频等离子体源 RF2100ICP
射频等离子体源 RF2100ICP, 通过 RFICP 放电激活等离子体: 产生 100% O₂, N₂ 反应等离子束
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型号 |
离子束动能 |
最大离子束流 |
等离子尺寸直径 |
离子束流形状 |
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RF2100ICP |
5-50V |
> 500mA |
14cmφ |
散射 |
KRI 考夫曼离子束中和器
一般使用宽束的工业用离子源，都会使用中和器来达到使用激发电子中和离子的目的。常用来做中和器的像是热灯丝，电浆桥，或是中空阴极。图1的架构可适用于有栅极及无栅极的离子源上。若是应用在无栅极的离子源上，中和器称为阴极中和器。标的物可以是溅镀的靶材或是要被蚀刻的基材。
KRI 霍尔离子源控制器成功替代 Veeco Commonwealth 控制器
美国考夫曼公司霍尔离子源控制器替代 Veeco Commonwealth 控制器, 不需更改任何镀膜机计算机程序及相关设定即可直接运做!
