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美国 KRi 离子源常见工艺应用

KRi 离子源常见工艺应用
通过使用上海伯东美国 KRi 离子源可以对材料进行加工, 真空环境下, 实现沉积薄膜, 干式蚀刻和材料表面改性等工艺.
KRI离子源

KRi 离子源常见工艺应用

工艺应用

简称

In-situ substrate preclean 预清洁

PC

Ion-beam modification of material and surface properties
材料和表面改性

IBSM

- Surface polishing or smoothing 表面抛光

 

- Surface nanostructures and texturing
表面纳米结构和纹理

 

- Ion figuring and enhancement 离子计算和增强

 

- Ion trimming and tuning 离子修整和调谐

 

- Surface-activated bonding 表面激活键合

SAB

Ion-beam-assisted deposition 辅助镀膜

IBAD

Ion-beam etching 离子蚀刻

IBE

- Reactive ion-beam etching 活性离子束蚀刻

RIBE

- Chemically assisted ion-beam etching 化学辅助离子束蚀刻

CAIBE

Ion-beam sputter deposition 离子溅射

IBSD

- Reactive ion-beam sputter deposition 反应离子溅射

RIBSD

- Biased target ion-beam sputter deposition
偏压靶离子束溅射

BTIBSD

Direct deposition 直接沉积

DD

- Hard and functional coatings
硬质和功能性涂料

 


KRI离子源 

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等领域, 上海伯东是美国 KRi考夫曼公司离子源中国总代理.
 

若您需要进一步的了解美国 KRi 离子源详细信息或讨论, 请参考以下联络方式
上海伯东: 叶小姐                                    台湾伯东: 王小姐
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