KRi 离子源 e-beam 电子束蒸发系统辅助镀膜应用

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 e-beam 电子束蒸发系统辅助镀膜应用
上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 系列, 通过加热灯丝产生电子, 是典型的考夫曼型离子源, 离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束, 通过同时的或连续的离子轰击表面使原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, 实现辅助镀膜 IBAD.

离子源
 

e-beam 电子束蒸发系统加装 KRi 离子源作用
通过向生长的薄膜中添加能量来增强分子动力学, 以增加表面和原子/分子的流动性, 从而导致薄膜的致密化.
通过向生长薄膜中添加活性离子来增强薄膜化合物的化学转化, 从而得到化学计量完整材料.

使用美国 KRi 考夫曼离子源可以实现
增强和控制薄膜性能, 薄膜致密化的改进, 控制薄膜化学计量, 提高折射率, 降低薄膜应力, 控制薄膜微观结构和方向, 提高薄膜温度和环境稳定性, 增加薄膜附着力, 激活表面, 薄膜界面和表面平滑, 降低薄膜吸收和散射, 增加硬度和耐磨性.


KRi KDC 考夫曼离子源典型案例:
设备: e-beam 电子束蒸发系统
离子源型号: KDC 75
应用: IBAD 辅助镀膜, 在玻璃上镀上高反射率膜 (光栅的镀膜)
离子源对工艺过程的优化: 无需加热衬底, 对温度敏感材料进行低温处理, 简化反应沉积

上海伯东美国  KRi 离子源适用于各类沉积系统 (电子束蒸发或热蒸发, 离子束溅射, 分子束外延, 脉冲激光沉积), 实现 IBAD 辅助镀膜

IBAD辅助镀膜
 

美国 KRi KDC 考夫曼离子源技术参数:

型号

KDC 10

KDC 40

KDC 75

KDC 100

KDC 160

Discharge 阳极

DC 电流

DC 电流

DC 电流

DC 电流

DC 电流

离子束流

>10 mA

>100 mA

>250 mA

>400 mA

>650 mA

离子动能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

栅极直径

1 cm Φ

4 cm Φ

7.5 cm Φ

12 cm Φ

16 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

 

流量

1-5 sccm

2-10 sccm

2-15 sccm

2-20 sccm

2-30 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

长度

11.5 cm

17.1 cm

20.1 cm

23.5 cm

25.2 cm

直径

4 cm

9 cm

14 cm

19.4 cm

23.2 cm

中和器

灯丝

 

上海伯东美国 KRi 离子源 KDC 系列适用于标准和新兴材料工艺. 在原子水平上工作的能力使 KDC 离子源能够有效地设计具有纳米精度的薄膜和表面. 无论是密度压实, 应力控制, 光学传输, 电阻率, 光滑表面, 提高附着力, 垂直侧壁和临界蚀刻深度, KDC 离子源都能产生有益的材料性能. 上海伯东是美国 KRi 离子源中国总代理.

上海伯东同时提供 e-beam 电子束蒸发系统所需的涡轮分子泵真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发更高质量的设备.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域.

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上海伯东: 叶小姐                                  台湾伯东: 王小姐
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