离子蚀刻机 7.5 IBE
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离子蚀刻机 7.5 IBE

离子束刻蚀机 7.5IBE
上海伯东日本原装进口4英寸/6英寸离子蚀刻机, 适用于科研院所, 实验室研究, 干法, 纳米级别材料的表面刻蚀, 刻蚀均匀性 ≤±5%. 几乎满足所有材料的刻蚀. 例如磁性材料, 黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 广泛应用于 RF 射频器件, MEMS 传感器, 磁性器件等

离子蚀刻机 7.5 IBE 技术规格

真空腔

1 set, 主体不锈钢,水冷

基片尺寸

1 set, φ4”/6” Stage, 直接冷却,

离子源

φ 8cm 考夫曼离子源

离子束入射角

0 Degree~± 90 Degree

极限真空

≦1x10-4 Pa

刻蚀性能

均匀性: ≤±5% across 4”


离子束刻蚀机 IBE 特性:
1. 干法刻蚀, 物理蚀刻, 纳米级别的刻蚀精度
2. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状
3. 基板直接加装在直接冷却装置上,可以在低温环境下蚀刻.
4. 配置公转自转传输机构 ”Dry Chuck Planet ”, 使得样品可以得到比较均匀平滑的表面. 刻蚀均匀性 ≤±5%
5. 几乎满足所有材料的刻蚀, IBE 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料
6. 配置德国 Pfeiffer 分子泵旋片泵
7. 机台设计使用自动化的操作流程, 非常友好的使用生产过程
 

离子刻蚀机

离子蚀刻机

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伯东公司超过 50年的离子刻蚀市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术!

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