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射频离子源 RFICP 40
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射频离子源 RFICP 40

KRi 射频离子源 RFICP 40
上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射频离子源 RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内. 离子源 RFICP 40 设计采用创新的栅极技术用于研发和开发应用. 离子源 RFICP 40 无需电离灯丝设计, 适用于通气气体是活性气体时的工业应用. 标准配置下 RFICP 40 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.

射频离子源 RFICP 40 特性:
1. 离子源放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长.
2. 离子源结构模块化设计, 使用更简单; 基座可调节, 优化蚀刻率和均匀性.
3. 提供聚焦, 发散, 平行的离子束
4. 离子源自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行
5. 栅极材质钼和石墨,坚固耐用
6. 离子源中和器 Neutralizer, 测量和控制电子发射,确保电荷中性

KRI 射频离子源 RFICP 40 技术参数:

型号

RFICP 40

Discharge 阳极

RF 射频

离子束流

>100 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

4 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

流量

3-10 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

12.7 cm

直径

13.5 cm

中和器

LFN 2000 or RFN


KRi 射频离子源典型应用：
预清洗 PC
表面改性
辅助镀膜 (光学镀膜 ) IBAD
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
离子源在离子束溅射沉积过程:

KRi 射频离子源 RFICP 40 客户案例：
安装于 e-beam 电子束蒸发系统, 进行 IBAD 辅助镀膜 (玻璃上镀反射涂层).
射频离子源 IBAD

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.

若您需要进一步的了解 KRi 射频离子源, 请参考以下联络方式
上海伯东: 叶小姐                                  台湾伯东: 王小姐
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