普发氦质谱检漏仪

KRi 霍尔离子源典型应用溅镀镀膜预清洁工艺 Pre-clean
上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 EH 400F 成功应用于 6寸硅片电源管理集成电路芯片 PMIC 溅镀镀膜前预清洁工艺 Pre-clean.

电源管理集成电路芯片镀膜时常用的材料, 例如: 铌酸锂 LiNbO3 , 钛酸钡 BaTi03 , 锆钛酸铅 PTZ, 氧化锌 ZnO , 氮化铝 AiN … 膜层与硅片会有脱膜及电性阻抗问题. 美国 KRI 霍尔离子源有广角的涵盖面积 >45ﾟ, 及高解离率获得高密度的离子浓度, 在电源管理集成电路芯片 PMIC  的压电材料镀膜前将硅片做清洁及平整化处理, 提高膜层的附着力及提高生产良率.

电源管理集成电路芯片 PMIC 溅镀镀膜前预清洁工艺
设备: 5只靶材复合性溅镀机
基材: 6 存硅片
真空系统: 上海伯东美国 HVA 高真空插板阀 + 伯东 Pfeiffer 全磁浮分子泵
KRi 霍尔离子源: EH 400F
预清洁工艺离子源条件: Vd:120V (离子束阳极电压), Id:3.5A (离子束阳极电流), Ar gas: 20sccm (氩气).

腔体中 KRi 霍尔离子源 EH 400 本体, 工作條件: Vd:120V, Id:3.5A, Ar:20sccm

上海伯东美国 KRi 霍尔源可依客户镀膜机尺寸, 基材尺寸, 工艺条件选择适合型号

型号	eH400	eH1000	eH2000	eH3000
中和器	F or HC	F or HC	F or HC	F or HC
离子束阳极电压	50-300 V	50-300 V	50-300 V	50-250 V
离子束阳极电流	5A	10A	10A	20A
散射角度	>45	>45	>45	>45
气体流量	2-25 sccm	2-50 sccm	2-75 sccm	5-100 sccm
本体高度	3.0“	4.0“	4.0“	6.0“
直径	3.7“	5.7“	5.7“	9.7“
水冷	可选	可选	是	可选

F = Filament; HC = Hollow Cathode;

若您需要进一步的了解 KRi 离子源详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：
上海伯东: 叶小姐                                   台湾伯东: 王小姐
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