KRi 霍尔离子源典型应用溅镀镀膜预清洁工艺 Pre-clean
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KRi 霍尔离子源典型应用溅镀镀膜预清洁工艺 Pre-clean

KRi 霍尔离子源典型应用溅镀镀膜预清洁工艺 Pre-clean
上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 EH 400F 成功应用于 6寸硅片电源管理集成电路芯片 PMIC 溅镀镀膜前预清洁工艺 Pre-clean.
KRi霍尔离子源 EH400
电源管理集成电路芯片镀膜时常用的材料, 例如: 铌酸锂 LiNbO3 , 钛酸钡 BaTi03 , 锆钛酸铅 PTZ, 氧化锌 ZnO , 氮化铝 AiN … 膜层与硅片会有脱膜及电性阻抗问题. 美国 KRI 霍尔离子源有最高广角的涵盖面积 >45゚, 及高解离率获得高密度的离子浓度, 在电源管理集成电路芯片 PMIC  的压电材料镀膜前有效的将硅片做清洁及平整化处理, 提高膜层的附着力及提高生产良率.

电源管理集成电路芯片 PMIC 溅镀镀膜前预清洁工艺
设备: 5只靶材复合性溅镀机
基材: 6 存硅片
真空系统: 上海伯东美国 HVA 高真空插板阀 + 伯东 Pfeiffer 全磁浮分子泵
KRi 霍尔离子源: EH 400F
预清洁工艺离子源条件: Vd:120V (离子束阳极电压), Id:3.5A (离子束阳极电流), Ar gas: 20sccm (氩气).
KRi 霍尔离子源 EH400
KRi 霍尔离子源腔体中 KRi 霍尔离子源 EH 400 本体, 工作條件: Vd:120V, Id:3.5A, Ar:20sccm

上海伯东美国 KRi 霍尔源可依客户镀膜机尺寸, 基材尺寸, 工艺条件选择适合型号

型号

eH400

eH1000

eH2000

eH3000

中和器

F or HC

F or HC

F or HC

F or HC

离子束阳极电压

50-300 V

50-300 V

50-300 V

50-250 V

离子束阳极电流

5A

10A

10A

20A

散射角度

>45

>45

>45

>45

气体流量

2-25 sccm

2-50 sccm

2-75 sccm

5-100 sccm

本体高度

3.0“

4.0“

4.0“

6.0“

直径

3.7“

5.7“

5.7“

9.7“

水冷

可选

可选

可选

F = Filament; HC = Hollow Cathode;

若您需要进一步的了解 KRi 离子源详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 叶小姐                                   台湾伯东: 王小姐
T: +86-21-5046-3511 ext 109              T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                            F: +886-3-567-0049
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