KRi 考夫曼离子源

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
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考夫曼离子源创始人 Dr. Harold Kaufman

1926 年在美国出生
1951 年加入美国 NASA 路易斯研究中心
1971 年考夫曼博士获得美国宇航局杰出服务奖
1978 年考夫曼博士成立了 Kaufman & Robinson,Inc 公司, 研发生产商用离子源
2016 年入选美国太空总署 Grenn 研究中心名人堂
2018 年1月逝世

射频离子源 RFICP 系列

射频离子源, 提供高能量, 低浓度的离子束, 单次工艺时间更长, 适合多层膜的制备和离子溅镀镀膜

型号

RFICP 40

RFICP 100

RFICP 140

RFICP 220

RFICP 380

离子束流

>100 mA

>350 mA

>600 mA

>800 mA

>1500 mA

离子动能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

栅极直径

4 cm Φ

10 cm Φ

14 cm Φ

20 cm Φ

30 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

KRI 考夫曼离子源 KDC 系列

离子源通过加热灯丝产生离子束, 低浓度高能量宽束型离子源

型号

KDC 10

KDC 40

KDC 75

KDC 100

KDC 160

离子束流

>10 mA

>100 mA

>250 mA

>400 mA

>650 mA

离子动能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

栅极直径

1 cm Φ

4 cm Φ

7.5 cm Φ

12 cm Φ

16 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

KRI 霍尔离子源 eH 系列

霍尔离子源无栅极, 高浓度, 低能量宽束型离子源

型号

eH 200

eH 400

eH 1000

eH 2000

eH 3000

离子束流

2A

5A

10A

10A

20A

离子动能

30-300 V

50-300 V

100-300 V

50-250 V

50-250 V

栅极直径

2.5”

3.7”

5.7”

5.7”

9.7”

离子束

> 45°散射

射频离子源 RFICP 380

上海伯东美国 KRi 大口径射频离子源 RFICP 380, 3层栅极设计, 栅极口径 38cm, 提供离子动能 100-1200eV 宽束离子束, 最大离子束流 > 1000mA, 满足 300 mm (12英寸)晶圆应用,

射频离子源 RFICP 220

射频离子源 RFICP 220
尺寸:直径= 16.1“ 高= 11.8”
离子束动能: 100-1200 V
电流: >1A

射频离子源 RFICP220

KRI 霍尔离子源 eH 400

霍尔离子源 eH 400
尺寸:直径= 3.7“ 高= 3”
离子束动能: 50-300eV
电流: 5a

霍尔离子源 eh400

KRI 霍尔离子源 eH 1000

霍尔离子源 eH 1000
尺寸:直径= 5.7“ 高= 5.5”
离子束动能: 50-300V
电流: 10A

霍尔离子源

射频离子源 RFICP 140

KRI 射频离子源 RFICP 140 是一款紧凑的有栅极离子源, 非常适用于离子束溅射沉积, 可以输出最大 600 mA 离子流

KRI 考夫曼离子源 KDC 75

考夫曼离子源 KDC 75
尺寸: 直径= 5.5“ 高= 7.9”
离子束动能: 100-1200 eV
电流: 250 mA

考夫曼离子源

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