KRi 考夫曼离子源 Gridded KDC

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等领域, 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.
离子源     霍尔离子源                                           射频离子源                       考夫曼离子源                              离子源自动控制器

KRi 考夫曼离子源 Gridded KDC 系列, 栅极灯丝型离子源, 通过加热灯丝产生电子, 提供低电流高能量离子束. 离子束可选聚焦,平行, 散设三种方式, KDC 系列离子源适用于离子溅镀和蒸发镀膜 PC, 辅助镀膜 ( 光学镀膜 ) IBAD, 表面改性, 激活 SM, 离子溅射沉积和多层结构 IBSD, 离子蚀刻 IBE 等.

KRi 考夫曼离子源 KDC 系列

离子源通过加热灯丝产生离子束, 低浓度高能量宽束型离子源

离子源型号

KDC 10

KDC 40

KDC 75

KDC 100

KDC 160

离子束流

>10 mA

>100 mA

>250 mA

>400 mA

>650 mA

离子动能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

栅极直径

1 cm Φ

4 cm Φ

7.5 cm Φ

12 cm Φ

16 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

考夫曼离子源 KDC 75

紧凑栅极离子源

型号

离子束动能

最大离子束流

栅极直径

离子束流形状

KDC 75

100-1200 V

>250 mA

7.5cm Φ

聚焦, 平行, 散射

考夫曼离子源 KDC 10

适用于集成在小型的真空设备中, 例如预清洗, 离子溅射, 离子蚀刻

型号

离子束动能

最大离子束流

栅极直径

离子束流形状

KDC 10

100-1200 V

>10 mA

1 cm Φ

聚焦, 平行, 散射

考夫曼离子源 KDC 40

小型低成本直流栅极离子源

型号

离子束动能

最大离子束流

栅极直径

离子束流形状

KDC 40

100-1200 V

>100 mA

4cm Φ

聚焦, 平行, 散射

KRI 考夫曼离子源 KDC 100

广泛加装在薄膜沉积大批量生产设备中

型号

离子束动能

最大离子束流

栅极直径

离子束流形状

KDC 100

100-1200 V

>400 mA

12cm Φ

聚焦, 平行, 散射

KRI 考夫曼离子源 KDC 160

考夫曼 KDC 系列最大, 离子能量最强的栅极离子源, 适用于已知的所有离子源应用

型号

离子束动能

最大离子束流

栅极直径

离子束流形状

KDC 160

100-1200 V

>650 mA

16cm Φ

聚焦, 平行, 散射

1