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KRI 离子源应用
上海伯东代理美国 KRI 考夫曼离子源主要应用于真空环境下的离子束辅助沉积, 纳米级的干式蚀刻和表面改性.
常见的工艺应用 |
简称 |
In-Situ Substrate Preclean 基片预清洗 |
PC |
Ion Beam Modification of Material & Surface Properties 离子束材料和表面改性 |
IBSM |
Ion Beam Assisted Deposition 离子束辅助沉积 |
IBAD |
Ion Beam Etching 离子蚀刻 |
IBE |
Ion Beam Sputter Deposition 磁控溅射辅助沉积 |
IBSD |
Direct Deposition 直接沉积 |
DD |
作为一种新兴的材料加工技术, 美国 KRI 考夫曼离子源凭借出色的技术性能, 协助客户获得理想的薄膜和材料表面性能. 行业涉及精密光学, 半导体制造, 传感器, 医学等多个领域.
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精密薄膜控制 |
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半导体 |
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蚀刻晶元 |
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MEMS, 传感器和显示器 |
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精密光学 |
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磁数据存储 |
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
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