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KRI 离子源应用
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KRI 离子源应用

KRI 离子源应用
上海伯东代理美国 KRI 考夫曼离子源主要应用于真空环境下的离子束辅助沉积, 纳米级的干式蚀刻和表面改性.

 常见的工艺应用

简称

 In-Situ Substrate Preclean 基片预清洗

PC

 Ion Beam Modification of Material & Surface Properties 离子束材料和表面改性
 - Surface polishing or smoothing 表面抛光
 - Surface nano structures and texturing 改变纳米结构和纹理
 - Ion figuring and enhancement 离子刻蚀成形
 - Ion trimming and tuning 离子表面优化
 - Surface activated bonding

IBSM




SAB

 Ion Beam Assisted Deposition 离子束辅助沉积

IBAD

 Ion Beam Etching 离子蚀刻
 - Reactive Ion Beam Etching 反应离子蚀刻
 - Chemically Assisted Ion Beam Etching 化学辅助离子蚀刻

IBE
RIBE
CAIBE

 Ion Beam Sputter Deposition 磁控溅射辅助沉积
 - Reactive Ion Beam Sputter Deposition 反应离子磁控溅射沉积
 - Biased Target Ion Beam Sputter Deposition 偏压离子束磁控溅射

IBSD
RIBSD
BTIBSD

 Direct Deposition 直接沉积
 - Hard and functional coatings 硬质和功能膜

DD


作为一种新兴的材料加工技术, 美国 KRI 考夫曼离子源凭借出色的技术性能, 协助客户获得理想的薄膜和材料表面性能. 行业涉及精密光学, 半导体制造, 传感器, 医学等多个领域.

薄膜镀膜
 

精密薄膜控制
薄膜为若干单层膜

考夫曼离子源
 

半导体
可重复使用的金属涂层附着力

离子蚀刻
 

蚀刻晶元
刻蚀均匀性和临界几何尺寸

离子源
 

MEMS, 传感器和显示器
表面优化
 

离子源
 

精密光学
薄膜致密稳定, 折射率优化, 吸收率低

离子源
 

磁数据存储
金属和介质多层堆叠中纳米特性的各向异性和均匀腐蚀


1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

若您需要进一步的了解 KRi 离子源, 请参考以下联络方式
上海伯东: 叶小姐                                  台湾伯东: 王小姐
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