KRi 考夫曼离子源典型应用 IBF 离子束抛光工艺
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KRi 考夫曼离子源典型应用 IBF 离子束抛光工艺

KRi 考夫曼离子源典型应用 IBF 离子束抛光工艺
离子束抛光加工 Ion Beam Figuring, IBF 已逐渐成为光学零件表面超精加工常用的最后一道工艺, 离子源是离子束抛光机的核心部件. 上海伯东美国 KRi 直流电源式考夫曼离子源 KDC 系列成功应用于光学镀膜离子束抛光机及晶体硅片离子束抛光机.

考夫曼离子源通过控制离子的强度及浓度, 使抛光刻蚀速率更快更准确, 抛光后的基材上获得更平坦, 均匀性更高的薄膜表面. KDC 考夫曼离子源内置型的设计更符合离子源在离子抛光机内部的移动运行. 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.

考夫曼离子源 KDC 10 安装于光学镀膜离子束抛光机

1. 基材: 100 mm 光学镜片
2. 离子源条件: Vb: 800 V ( 离子束电压 ), Ib: 84 mA ( 离子束电流 ) , Va: -160 V ( 离子束加速电压 ), Ar gas ( 氩气 ).
离子源 KDC 10
 

离子束抛光前平坦度影像呈现图
KRI 离子源应用

离子束抛光后平坦度影像呈现图KRI 离子源应用


考夫曼离子源 KDC 40 安装于晶体硅片离子束抛光机
1. 基材: 300 mm 晶体硅片
2. 离子源条件: Vb: 1000 V ( 离子束电压 ), Ib: 69 mA ( 离子束电流 ), Va: -200 V ( 离子束加速电压 ) Ar gas ( 氩气 )
离子源 KDC 40
 

离子束抛光前平坦度影像呈现图
离子源离子抛光

离子束抛光后平坦度影像呈现图离子源离子抛光

 
上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 系列根据客户离子抛光工艺条件提供如下型号:

型号

KDC 10

KDC 40

KDC 75

KDC 100

KDC 160

Discharge 阳极

DC 电流

DC 电流

DC 电流

DC 电流

DC 电流

离子束流

>10 mA

>100 mA

>250 mA

>400 mA

>650 mA

离子动能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

栅极直径

1 cm Φ

4 cm Φ

7.5 cm Φ

12 cm Φ

16 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

 

流量

1-5 sccm

2-10 sccm

2-15 sccm

2-20 sccm

2-30 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

长度

11.5 cm

17.1 cm

20.1 cm

23.5 cm

25.2 cm

直径

4 cm

9 cm

14 cm

19.4 cm

23.2 cm

中和器

灯丝


1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

若您需要进一步的了解 KRi 考夫曼离子源, 请参考以下联络方式
上海伯东: 叶小姐                                  台湾伯东: 王小姐
T: +86-21-5046-3511 ext 107             T: +886-3-567-9508 ext 161
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