Aston™ 质谱分析仪应用于沉积和刻蚀3D NAND 存储器
阅读数: 10951

Aston™ 质谱分析仪应用于沉积和刻蚀3D NAND 存储器

Aston 质谱分析仪应用于沉积和刻蚀 3D NAND 存储器
3D NAND 工艺通过堆叠存储单元, 提供更高的比特密度, 上海伯东日本 Atonarp Aston™ 质谱分析仪适用于先进半导体工艺(如沉积和蚀刻)所需的定量气体分析. 沉积应用中:  实时过程气体监控,以驱动自动化工具调整以实现过程控制, 沉积步骤之间的终点检测, 实现层的化学计量工程; 蚀刻应用中: 以 ppb 为单位测量的工艺气体和副产品, 启用端点腔室清洁.
Aston™ 质谱分析仪应用于沉积和刻蚀3D NAND 存储器

3D NAND 工艺概述

工艺步骤

 

3D NAND 存储器

3D NAND 存储器

3D NAND 存储器

 

 

堆叠沉积: 交替氧化物(蓝色)和氮化物(绿色)薄膜沉积(每个堆叠 >200 对)

 

通道蚀刻: 沉积硬掩模, 形成开口, 高纵横比通道贯穿所有层(每个晶片>1 万亿个孔)

 

阶梯蚀刻: 字线的接触焊盘是使用产生阶梯结构的受控蚀刻来创建的.

 

ASTON 优势

 

均匀的厚度对电气性能至关重要. Aston™ 质谱分析仪可实现厚度控制, 层定义和化学计量工程.

 

高纵横比通道孔需要从上到下完整且均匀, 没有弯曲或扭曲. Aston™ 质谱能够在腔内测量蚀刻反应物.

 

蚀刻轮廓控制精度(埃). 蚀刻深度能力(微米).
Aston™ 质谱仪通过动态测量化学物质来实现蚀刻

 

工艺步骤

 

3D NAND 存储器

3D NAND 存储器

3D NAND 存储器

 

 

狭缝蚀刻: 沉积硬掩模层, 形成硬开口图案, 蚀刻狭缝以分离通道孔列. 这将创建一个存储单元阵列.

 

字线沉积: 在一些 3D NAND 方案中, 去除氮化物层, 然后使用由内向外的原子层沉积工艺(紫色)创建钨字线.

 

晶圆上最终 3D NAND 结构的横截面

 

 

ASTON优势

 

Aston™ 质谱仪通过连续测量反应物来实现蚀刻的均匀性和精度.

 

去除氮化层并填充钨. Aston™ 质谱仪实现了分子水平的控制.

 

 

来源: Lam Research: 3D NAND - Key Process Steps (2016) url: https://www.youtube.com/watch?v=hglK1cf3meM
 

Aston™ 质谱仪优势
ppb 级灵敏度的高速采样
非常适合高纵横比的 3D 结构
耐腐蚀性气体, 坚固紧凑
易于集成到工具平台中
沉积应用中:  实时过程气体监控,以驱动自动化工具调整以实现过程控制, 沉积步骤之间的终点检测, 实现层的化学计量工程
蚀刻应用中: 以 ppb 为单位测量的工艺气体和副产品, 启用端点腔室清洁
 

Atonarp  Aston™ 技术参数

类型

Impact-300

Impact-300DP

Plasma-200

Plasma-200DP

Plasma-300

Plasma-300DP

型号

AST3007

AST3006

AST3005

AST3004

AST3003

AST3002

质量分离

四级杆

真空系统

分子泵

分子泵
隔膜泵

分子泵

分子泵
隔膜泵

分子泵

分子泵
隔膜泵

检测器

FC /SEM

质量范围

2-285

2-220

2-285

分辨率

0.8±0.2

检测限

0.1 PPM

工作温度

15-35“℃

功率

350 W

重量

15 kg

尺寸

299 x 218 x 331 LxWxH(mm)

400 x 240 x 325 LxWxH(mm)


若您需要进一步的了解 Atonarp  Aston™ 在线质谱分析仪详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 叶小姐                                   台湾伯东: 王小姐
T: +86-21-5046-3511 ext 109              T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                            F: +886-3-567-0049
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同号 )      M: +886-939-653-958
qq: 2821409400 
现部分品牌诚招合作代理商, 有意向者欢迎联络上海伯东 叶小姐 1391-883-7267
上海伯东版权所有, 翻拷必究

其他产品