射频离子源 RFICP 100
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射频离子源 RFICP 100

KRI 射频离子源 RFICP 100
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 100 紧凑设计, 适用于离子溅镀和离子蚀刻. 小尺寸设计但是可以输出 >400 mA 离子流. 考夫曼型离子源 RFICP 100 源直径19cm 安装在10”CF 法兰, 在离子溅镀时, 离子源配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 在离子刻蚀工艺中, 离子源与离子光学配合, 蚀刻更均匀. 标准配置下 RFICP 100 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以达到 400 mA.

KRI 射频离子源 RFICP 100 技术参数
 

阳极

电感耦合等离子体
射频自动匹配

最大阳极功率

600W

最大离子束流

> 300mA

电压范围

100-1200V

离子束动能

100-1200eV

气体

Ar, O2, N2,其他

流量

5-20 sccm

压力

< 0.5mTorr

离子光学, 自对准

OptiBeamTM

离子束栅极

10cm Φ

栅极材质

钼, 石墨

离子束流形状

平行,聚焦,散射

中和器

LFN 2000

高度

23.5 cm

直径

19.1 cm

锁紧安装法兰

10”CF

 

KRI 射频离子源 RFICP 100 应用领域
预清洗
表面改性
辅助镀膜(光学镀膜) IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE

客户案例: 超高真空离子刻蚀机 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系统配置如下
美国 KRI 射频离子源 RFICP 100
美国 HVA 真空闸阀
德国 Pfeiffer 分子泵 HiPace 2300
射频离子源

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

若您需要进一步的了解 KRI 射频离子源, 请参考以下联络方式
上海伯东: 叶小姐                                  台湾伯东: 王小姐
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