KRi 霍尔离子源 Gridless End-Hall

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等领域, 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.
离子源     霍尔离子源                                           射频离子源                       考夫曼离子源                              离子源自动控制器

霍尔离子源 Gridless 提供高电流低能量 end-Hall 系列产品, 包含宽束霍尔型离子源和电源控制器, 整体设计, 易于系统集成, 霍尔离子源典型应用: 辅助镀膜 IABD, 镀膜预清洁 ISSP, 离子蚀刻等

KRi 霍尔离子源 eH 系列

霍尔离子源无栅极, 高浓度, 低能量宽束型离子源

离子源型号

eH 400

eH 1000

eH 2000

eH 3000

eH Linear

离子动能

50-300 V

50-300 V

50-300 V

50-250 V

50-300 V

离子束流

5A

10A

10A

20A

根据实际应用

散射角度

>45

>45

>45

>45

>45

霍尔离子源 eH 400

低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统

型号

离子束动能

最大离子束流

栅极直径

离子束流形状

eH 400

50-300 V

5A

3.7”

> 45°散射

霍尔离子源 eH 2000

eH 2000 是一款更强大的版本, 带有水冷方式, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合大中型真空系统

型号

离子束动能

最大离子束流

栅极直径

离子束流形状

eH 2000

50-250 V

10A

5.7”

> 45°散射

霍尔离子源 eH 1000

eH 1000 低成本设计提供高离子电流, 特别适合中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻

型号

离子束动能

最大离子束流

栅极直径

离子束流形状

eH 1000

100-300 V

10A

5.7”

> 45°散射

霍尔离子源 eH 3000

适合大型真空系统, eH 3000 是目前市场上最高效, 提供最高离子束流的离子源.

型号

离子束动能

最大离子束流

栅极直径

离子束流形状

eH 3000

50-250 V

20A

9.7”

> 45°散射

线性霍尔离子源 eH Linear

线性离子源使用 eH 400 做为模块, 能应用于宽范围的衬底, 离子源长度高达 1 米, 通过严格调整模块间的距离可以实现最佳的均匀性和离子流

型号

离子束动能

最大离子束流

栅极直径

离子束流形状

eH Linear

50-300 V

NA

NA

> 45°散射

霍尔离子源 eH 200

eH200 是霍尔离子源型eH 系列中尺寸最小,低成本设计离子源

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