KRi 射频离子源典型应用 12英寸,8英寸 IBE 离子束蚀刻系统
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KRi 射频离子源典型应用 12英寸,8英寸 IBE 离子束蚀刻系统

KRi 射频离子源典型应用: 12英寸, 8英寸 IBE 离子束蚀刻系统
上海伯东美国 KRi 考夫曼公司大口径射频离子源  RFICP 380, RFICP 220 成功应用于 12英寸和 8英寸 IBE  离子束蚀刻机, 刻蚀均匀性(1 σ)达到< 1%. 可以用来刻蚀任何固体材料, 包括金属, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半导体, 绝缘体, 超导体等.

离子束刻蚀属于干法刻蚀, 其核心部件为大面积离子源. 作为蚀刻机的核心部件, KRi  射频离子源提供大尺寸, 高能量, 低浓度的离子束, 接受客户定制, 单次工艺时间更长, 满足各种材料刻蚀需求!  气体通入离子源的放电室中,  电离产生均匀的等离子体, 由离子源的栅极将正离子引出并加速, 然后由中和器进行中和. 利用引出的带有一定动能的离子束流撞击样品表面, 通过物理溅射将材料去除, 进而获得刻蚀图形. 这一过程属于纯物理过程, 一般运行在较高的真空度下.

IBE 类型设备的优点主要是等离子体的产生远离晶圆空间, 通过栅网拉出的离子束的能量和密度可以独立控制; 其次 IBE 的晶圆载台可以实现自转, 并通过角度调整, 实现倾斜入射.
KRi 射频离子源典型应用: 12英寸, 8英寸 IBE 离子束蚀刻系统

KRi 射频离子源 RFICP 系列技术参数:

型号

RFICP 40

RFICP 100

RFICP 140

RFICP 220

RFICP 380

Discharge 阳极

RF 射频

RF 射频

RF 射频

RF 射频
2kw & 1.9 ± 0.2 MHz

RF 射频
2kw & 1.8 MHz

离子束流

>100 mA

>350 mA

>600 mA

>800 mA

>1500 mA

离子动能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

栅极直径

4 cm Φ

10 cm Φ

14 cm Φ

20 cm Φ

30 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

 

流量

3-10 sccm

5-30 sccm

5-30 sccm

10-40 sccm

15-50 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

长度

12.7 cm

23.5 cm

24.6 cm

30 cm

39 cm

直径

13.5 cm

19.1 cm

24.6 cm

41 cm

59 cm

中和器

LFN 2000

上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长
RFICP  系列提供完整的套装, 套装包含离子源, 电子供应器, 中和器, 电源控制等
RFICP  系列离子源是制造精密薄膜和表面的有效工具, 有效改善靶材的致密性光透射,均匀性,附着力等

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

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上海伯东: 叶小姐                                  台湾伯东: 王小姐
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