KRi 射频离子源 RFICP 220 IBE 离子束刻蚀
阅读数: 5538

KRi 射频离子源 RFICP 220 IBE 离子束刻蚀

KRi 射频离子源典型应用: 12英寸, 8英寸 IBE 离子束刻蚀系统
上海伯东美国 KRi 考夫曼公司大口径射频离子源  RFICP 380, RFICP 220 成功应用于 12英寸和 8英寸 IBE  离子束蚀刻机, 实现 300mm 和 200 mm 硅片蚀刻, 刻蚀 均匀性(1 σ)达到< 1%. KRi 离子源可以用来刻蚀任何固体材料, 包括金属, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半导体, 绝缘体, 超导体等.

离子束刻蚀属于干法刻蚀, 其核心部件为离子源. 作为蚀刻机的核心部件, KRi  射频离子源提供大尺寸, 高能量, 低浓度的宽束离子束, 接受客户定制, 单次工艺时间更长, 满足各种材料刻蚀需求!  
KRi 射频离子源典型应用: 12英寸, 8英寸 IBE 离子束蚀刻系统


客户案例: 12英寸 IBE 离子束蚀刻机安装 KRi 射频离子源
KRi 离子源工作过程: 气体通入离子源的放电室中,  电离产生均匀的等离子体, IBE系统由离子源的栅极将正离子引出并加速, 然后由中和器进行中和. 利用引出的带有一定动能的离子束流撞击样品表面, 通过物理溅射将材料除去, 进而获得刻蚀图形. 这一过程属于纯物理过程, 一般运行在较高的真空度下.
KRi 射频离子源 离子蚀刻
KRi 射频离子源 离子蚀刻
 

由于等离子体的产生远离晶圆空间, 起辉不受非挥发性副产物的影响.
这种物理方案, 栅网拉出的离子束的能量和密度可以独立控制, 提升了工艺可控性
通过载片台的角度调整, 实现离子束倾斜入射, 可用于特殊图案的刻蚀, 也适用于侧壁清洗等工艺.
蚀刻多层时不需要化学优化, 一般工艺通氩气, 也可通活性气体.

KRI 射频离子源 离子蚀刻

KRi 射频离子源 RFICP 系列技术参数:

型号

RFICP 40

RFICP 100

RFICP 140

RFICP 220

RFICP 380

Discharge 阳极

RF 射频

RF 射频

RF 射频

RF 射频
2kw & 1.9 ± 0.2 MHz

RF 射频
2kw & 1.8 MHz

离子束流

>100 mA

>350 mA

>600 mA

>800 mA

>1500 mA

离子动能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

栅极直径

4 cm Φ

10 cm Φ

14 cm Φ

20 cm Φ

30 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

 

流量

3-10 sccm

5-30 sccm

5-30 sccm

10-40 sccm

15-50 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

长度

12.7 cm

23.5 cm

24.6 cm

30 cm

39 cm

直径

13.5 cm

19.1 cm

24.6 cm

41 cm

59 cm

中和器

LFN 2000

上海伯东同时提供IBE 离子蚀刻系统所需的涡轮分子泵真空规高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的蚀刻系统.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国  KRi 考夫曼离子源中国总代理.

若您需要进一步的了解 KRi 射频离子源, 请参考以下联络方式
上海伯东: 叶小姐                                  台湾伯东: 王小姐
M: +86 1391-883-7267                      T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                          F: +886-3-567-0049
M: +86 1391-883-7267                       M: +886-939-653-958
上海伯东版权所有, 翻拷必究!

其他产品