上海 KRi 离子源真空镀膜应用
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利.
美国 KRi 离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.
KRI 射频离子源典型应用 LED-DBR 辅助镀膜
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离子源典型应用: 射频离子源 RFICP 325 安装在 1650 mm 蒸镀机中, 实现离子辅助镀膜 IBAD 及预清洁 Pre-clean, 完成 LED-DBR 镀膜生产 |
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KRi 射频离子源典型应用 12英寸,8英寸 IBE 离子束蚀刻系统
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离子源典型应用: KRI 射频离子源安装在12英寸和8英寸的 IBE 离子束刻蚀系统, 刻蚀均匀性（1 σ）达到< 1% |
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KRI 射频离子源应用于塑胶光学镜头镀膜
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离子源典型应用: 应用于智能型手机镜头, 车用镜头, VR 虚拟现实镜头的塑胶光学镜头镀膜, 通过使用射频离子源 RFICP 325 成功镀膜于塑胶基板并且通过 1,500 小时高温高湿严苛环境测试 |
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KRI 霍尔离子源典型应用 IBE 离子刻蚀
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离子源典型应用: 安装在小型离子蚀刻机中的 KRI 霍尔离子源 EH 400 HC, 对 2英寸硅芯片蚀刻 |
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KRI 霍尔离子源典型应用 IBAD 辅助镀膜
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离子源典型应用: 直径 2.2m 蒸镀机, 霍尔离子源用于蒸镀直径 1.5m 天文望远镜镜片全反射膜, 仅需安装1台 EH 3000 HC 霍尔离子源, 即可完成镀膜, 直接降低企业成本! |
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KRI 霍尔离子源典型应用 PC 预清洁后,IBAD 辅助镀膜
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上海伯东离子源典型应用: 霍尔离子源应用于光学镀膜机加装, 镀膜腔体约 2 m3, 加装霍尔源 EH 4200, 实现预清洁 PC 和辅助镀膜 IBAD |
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KRi 霍尔离子源典型应用溅镀镀膜预清洁工艺 Pre-clean
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霍尔离子源典型应用: EH400F 应用于 6寸硅片电源管理集成电路芯片 PMIC 溅镀镀膜前预清洁工艺 Pre-clean, 在电源管理集成电路芯片 PMIC 的压电材料镀膜前将硅片做清洁及平整化处理, 提高膜层的附着力及提高生产良率. |
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KRi 考夫曼离子源典型应用 IBF 离子束抛光工艺
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上海伯东离子源典型应用: 考夫曼离子源通过控制离子的强度及浓度, 使抛光刻蚀速率更快更准确, 抛光后的基材上获得更平坦, 均匀性更高的薄膜表面 |
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