KRI 考夫曼离子源真空镀膜应用

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
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KRI 离子源应用

作为一种新兴的材料加工技术, 美国 KRI 考夫曼离子源凭借出色的技术性能, 协助您获得理想的薄膜和材料表面性能. 美国 KRI 考夫曼离子源主要应用于真空环境下的离子束辅助沉积, 纳米级的干式蚀刻和表面改性.

KRI 射频离子源典型应用 LED-DBR 辅助镀膜

离子源典型应用: 射频离子源 RFICP 325 安装在 1650 mm 蒸镀机中, 实现离子辅助镀膜 IBAD 及预清洁 Pre-clean, 完成 LED-DBR 镀膜生产
右图: 在高倍显微镜下检视脱膜测试, 样品无崩边

射频离子源

KRI 射频离子源典型应用 IBE 离子蚀刻

离子源典型应用: 安装在离子蚀刻机中的 KRI 射频离子源, 对应用于半导体后端的6寸晶圆进行刻蚀
右图: 射频离子源 RFICP 安装于腔内

射频离子源

KRI 射频离子源应用于塑胶光学镜头镀膜

离子源典型应用: 应用于智能型手机镜头, 车用镜头, VR 虚拟现实镜头的塑胶光学镜头镀膜, 通过使用射频离子源 RFICP 325 成功镀膜于塑胶基板并且通过 1,500 小时高温高湿严苛环境测试

塑胶光学镜头镀膜

KRI 霍尔离子源典型应用 IBE 离子刻蚀

离子源典型应用: 安装在小型离子蚀刻机中的 KRI 霍尔离子源 EH 400 HC, 对 2英寸硅芯片蚀刻
右图: 对材料 Fe, Se, Te 刻蚀

离子蚀刻

KRI 霍尔离子源典型应用 IBAD 辅助镀膜

离子源典型应用: 直径 2.2m 蒸镀机, 霍尔离子源用于蒸镀直径 1.5m 天文望远镜镜片全反射膜, 仅需安装1台 EH 3000 HC 霍尔离子源, 即可完成镀膜, 直接降低企业成本!

霍尔离子源


 

KRI 霍尔离子源典型应用 PC 预清洁后,IBAD 辅助镀膜

上海伯东离子源典型应用: 霍尔离子源应用于光学镀膜机加装, 镀膜腔体约 2 m3, 加装霍尔源 EH 4200, 实现预清洁 PC 和辅助镀膜 IBAD
右图: 使用专业测膜记号笔, 可以明显看出加装 KRI 离子源前后有很大的不同

霍尔离子源辅助镀膜

 

KRi 霍尔离子源典型应用溅镀镀膜预清洁工艺 Pre-clean

霍尔离子源典型应用: EH400F 应用于 6寸硅片电源管理集成电路芯片 PMIC 溅镀镀膜前预清洁工艺 Pre-clean, 在电源管理集成电路芯片 PMIC  的压电材料镀膜前有效的将硅片做清洁及平整化处理, 提高膜层的附着力及提高生产良率.

KRi 霍尔离子源典型应用溅镀镀膜预清洁工艺 Pre-clean

KRI 考夫曼离子源典型应用 IBF 离子束抛光工艺

上海伯东离子源典型应用: 考夫曼离子源通过控制离子的强度及浓度, 使抛光刻蚀速率更快更准确, 抛光后的基材上获得更平坦, 均匀性更高的薄膜表面
右图: 离子束抛光后平坦度影像呈现图

离子抛光

 

电子束镀膜机加装霍尔离子源

上海伯东离子源典型应用: 霍尔离子源 EH 2000 加装于 Φ1.2m 电子束镀膜机用于望远镜用金属零部件 IBAD 辅助镀膜

KRI 霍尔离子源

 

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