上海 KRi 离子源真空镀膜应用
1978 年 Dr. Kaufman 考夫曼博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. KRi 离子源在真空环境中实现薄膜沉积, 干式纳米刻蚀和修改材料表面性能.
在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, 具有原子级控制的材料和表面特征.
美国 KRi 离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.
KRI 射频离子源典型应用 LED-DBR 辅助镀膜
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离子源典型应用: 射频离子源 RFICP 325 安装在 1650 mm 蒸镀机中, 实现离子辅助镀膜 IBAD 及预清洁 Pre-clean, 完成 LED-DBR 镀膜生产 |
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KRi 射频离子源 RFICP 220 IBE 离子束刻蚀
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离子源典型应用: KRI 射频离子源安装在12英寸和8英寸的 IBE 离子束刻蚀系统, 刻蚀均匀性（1 σ）达到< 1% |
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KRI 射频离子源应用于塑胶光学镜头镀膜
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离子源典型应用: 应用于智能型手机镜头, 车用镜头, VR 虚拟现实镜头的塑胶光学镜头镀膜, 通过使用射频离子源 RFICP 325 成功镀膜于塑胶基板并且通过 1,500 小时高温高湿严苛环境测试 |
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KRI 霍尔离子源典型应用 IBE 离子刻蚀
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离子源典型应用: 安装在小型离子蚀刻机中的 KRI 霍尔离子源 EH 400 HC, 对 2英寸硅芯片蚀刻 |
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KRI 霍尔离子源典型应用 IBAD 辅助镀膜
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离子源典型应用: 直径 2.2m 蒸镀机, 霍尔离子源用于蒸镀直径 1.5m 天文望远镜镜片全反射膜, 仅需安装1台 EH 3000 HC 霍尔离子源, 即可完成镀膜, 直接降低企业成本! |
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KRI 霍尔离子源典型应用 PC 预清洁后,IBAD 辅助镀膜
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上海伯东离子源典型应用: 霍尔离子源应用于光学镀膜机加装, 镀膜腔体约 2 m3, 加装霍尔源 EH 4200, 实现预清洁 PC 和辅助镀膜 IBAD |
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KRi 霍尔离子源典型应用溅镀镀膜预清洁工艺 Pre-clean
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霍尔离子源典型应用: EH400F 应用于 6寸硅片电源管理集成电路芯片 PMIC 溅镀镀膜前预清洁工艺 Pre-clean, 在电源管理集成电路芯片 PMIC 的压电材料镀膜前将硅片做清洁及平整化处理, 提高膜层的附着力及提高生产良率. |
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KRi 考夫曼离子源典型应用 IBF 离子束抛光工艺
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上海伯东离子源典型应用: 考夫曼离子源通过控制离子的强度及浓度, 使抛光刻蚀速率更快更准确, 抛光后的基材上获得更平坦, 均匀性更高的薄膜表面 |
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