KRi 离子源中和器和控制器

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源在真空环境中实现薄膜沉积, 干式纳米刻蚀和修改材料表面性能.
美国 KRi 离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.
KRI 考夫曼离子源自动控制器 Power Supply and Control
考夫曼离子源 Power Supply and Power Pack Controllers 功率控制器有多个模组组成, 模组的特性取决于功率, 频率, 电压, 电流和控制方式.
KRI 霍尔离子源控制器成功替代 Veeco Commonwealth 控制器
美国考夫曼公司霍尔离子源控制器替代 Veeco Commonwealth 控制器, 不需更改任何镀膜机计算机程序及相关设定即可直接运做!
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