KRI 考夫曼离子源 KDC 160
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KRI 考夫曼离子源 KDC 160

KRI 考夫曼离子源 KDC 160
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 160是目前考夫曼 KDC 系列最大,离子能量最强的栅极离子源, 适用于已知的所有离子源应用, 离子源 KDC 160 高输出设计,最大电流超过 1000 mA. 无需水冷, 降低安装要求并排除腔体漏水的几率, 双阴极设计,标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 800 mA.

KRI 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数

型号

KDC 160

供电

DC magnetic confinement

 - 阴极灯丝

2

 - 阳极电压

0-100V DC

电子束

OptiBeam™

 - 栅极

专用, 自对准

 -栅极直径

16 cm

中和器

灯丝

电源控制

KSC 1212

配置

-

 - 阴极中和器

Filament, Sidewinder Filament  或LFN 2000

 - 安装

移动或快速法兰

 - 高度

9.92'

 - 直径

9.1'

 - 离子束

聚焦
平行
散设

 -加工材料

金属
电介质
半导体

 -工艺气体

惰性
活性
混合

 -安装距离

8-45”

 - 自动控制

控制4种气体

* 可选: 可调角度的支架

KRI 考夫曼离子源 KDC 160 应用
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE

KRi 考夫曼离子源 KDC 160 应用于硅片刻蚀系统: 批量处理, 行星载台 4 x 10 片, 刻蚀均匀性 <±5%.
KRi 考夫曼离子源 KDC 160 应用于硅片刻蚀清洁

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