KRi 射频离子源 RFICP

KRi 射频离子源 Gridded RFICP

1978 年 Dr. Kaufman 考夫曼博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. KRi 离子源在真空环境中实现薄膜沉积, 干式纳米刻蚀和修改材料表面性能.

在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, 具有原子级控制的材料和表面特征.

美国 KRi 离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.

霍尔离子源 射频离子源 考夫曼离子源 离子源中和器

KRi 射频离子源 RFICP 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 离子源单次工艺时间更长, KRi 离子源适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜, 离子束刻蚀. 主要型号: RFICP 380, RFICP 220, RFICP 140, RFICP 100, RFICP 40

KRi 射频离子源 RFICP 系列

产品详细资料

射频离子源提供高能量, 低浓度的离子束, 离子源单次工艺时间更长, 适合多层膜的制备和离子溅镀镀膜

离子源型号	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
离子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
离子动能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
栅极直径	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	22 cm Φ	38 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射