KRi 射频离子源 Gridded RFICP

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等领域, 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.
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KRi 射频离子源 RFICP 系列

射频离子源提供高能量, 低浓度的离子束, 离子源单次工艺时间更长, 适合多层膜的制备和离子溅镀镀膜

离子源型号

RFICP 40

RFICP 100

RFICP 140

RFICP 220

RFICP 380

离子束流

>100 mA

>350 mA

>600 mA

>800 mA

>1500 mA

离子动能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

栅极直径

4 cm Φ

10 cm Φ

14 cm Φ

20 cm Φ

30 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

射频离子源 RFICP 380

大口径射频离子源, 3层栅极设计, 离子源栅极口径 30cm, 满足 300 mm (12英寸) 晶圆应用

型号

离子束动能

最大离子束流

栅极直径

离子束流形状

RFICP 380

100-1200 V

>1500 mA

30 cm Φ

平行, 聚焦, 散射

射频离子源 RFICP 220

高能量射频离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 满足 200 mm (8英寸) 晶圆应用

型号

离子束动能

最大离子束流

栅极直径

离子束流形状

RFICP 220

100-1200 V

>1000 mA

22 cm Φ

平行,聚焦,散射

射频离子源 RFICP 140

紧凑设计离子源, 非常适用于离子束溅射沉积, 离子辅助沉积和离子束刻蚀

型号

离子束动能

最大离子束流

栅极直径

离子束流形状

RFICP 140

100-1200 V

>600 mA

14 cm Φ

平行,聚焦,散射

射频离子源 RFICP 100

适用于离子溅镀和离子蚀刻. 小尺寸设计但是可以输出 >350 mA 离子流.

型号

离子束动能

最大离子束流

栅极直径

离子束流形状

RFICP 100

100-1200 V

>350 mA

10 cm Φ

平行,聚焦,散射

射频离子源 RFICP 40

RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内

型号

离子束动能

最大离子束流

栅极直径

离子束流形状

RFICP 40

100-1200 V

>100 mA

4 cm Φ

平行,聚焦,散射

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