pfeiffer 氦质谱检漏仪

客制化的基板尺寸, 最大直径可达 12寸晶圆
单载片或多载片 (2” x 32个，4” x 16个，6” x 6个，8” x 4个）
薄膜厚度和均匀度小于 ±3％
腔体的极限真空度约为 10^-8 Torr
适用于光学材料研究 ( LED / Laser Diode ), 光电元件, 半导体元件

客制化的基板尺寸, 最大直径可达 8寸晶圆
薄膜均匀度小于 ±3％
腔体的极限真空度约为 10^-10 Torr
腔体为使用金属密封圈并可烘烤至 150°C
适用于光学材料研究 ( LED / Laser Diode ), 光电元件, 半导体元件

客制化的基板尺寸, 最大直径可达 12寸晶圆
薄膜均匀度 小于±3％
腔体的极限真空度约为 10^-8 Torr
适用于 Lift-Off 制程

客制化基板尺寸, 最大直径可达 12寸晶圆
薄膜均匀度小于 ±3％
磁控溅镀源 (最多8个源), 具有多种可选的靶材尺寸
基板可加热到 1000°C
适用于氧化物, 氮化物和金属材料的研究

客制化基板尺寸, 最大直径可达 12寸晶圆
薄膜均匀度小于±3％
磁控溅镀源 (最多8个源), 具有多种可选的靶材尺寸
基板可加热到 1000°C
腔体的极限真空度约 10^-10 Torr

客制化基板尺寸, 最大直径可达 12寸晶圆
薄膜均匀度小于 ±3％
磁控溅镀源（最多6个源）, 靶材尺寸多种可选
基板可加热到 600°C
腔体的极限真空度约 10^-8 Torr

客制化基板尺寸最大为 1100 x 1300 mm²   （玻璃）
薄膜均匀度小于 ±5％
高沉积速率 ≥ 250nm/min 和阴极
稳定的温度控制, 可将基板加热到 400°C

上海伯东代理的金属热蒸镀设备加装美国 KRI 离子源, 可以精准的控制蒸发速度, 为客户提供品质保证的复合式薄膜, 且薄膜的厚度和均匀度小于+/- 3％.

上海伯东针对薄膜封装推出电浆辅助式化学气相沉积, 原子层沉积和聚对二甲苯沉积等三种设备, 且使用低温的沉积技术, 分别在 OLED 上堆叠多层薄膜, 广泛应用于有机发光二极体, 有机光伏打电池和材料科学研究

上海伯东代理原子层沉积设备可以精准的控制 ALD 的制程, 薄膜的厚度和均匀度皆小于+/- 1％, 广泛应用于 OLED 和硅太阳能电池的钝化层, 微机电系统, 纳米电子学, 纳米孔结构薄膜, 光学薄膜, 薄膜封装技术等领域.