电子束蒸镀设备, 磁控溅射镀膜

上海伯东代理各类溅射镀膜机, 蒸发镀膜机, ALD, PEALD, PECVD, OLED, MBE, E-beam 等设备, 满足研发和工业生产的高质量薄膜要求,

电子束蒸发镀膜机 E-Beam

 EBS-150
 真空度 5E-8 torr, 最大 8inch 样品

电子束蒸发

 EBS-150 UHV
 真空度 5E-10 torr, 最大 6inch 样品

 EBS-300 Dual
 真空度 5E-7 torr, 双 E-gun

磁控溅射镀膜机 Sputter

Sputter 16
真空度 2E-10 torr

磁控溅射镀膜机

Sputter 24
真空度 5E-10 torr

离子刻蚀 IBE

 IBE
 真空度 5E-10 torr, 离子源 RFICP 100

离子蚀刻 IBE

 IBE
 真空度 5E-10 torr , 离子源 KDC 75

分子束外延 MBE-10

分子束外延设备在长二维材料以及拓扑材料, 氧化物方面都有不错的性能. 如: III-V 族, II-VI 族, Si / SiGe, 金属与金属氧化物 (因为我们有独步全球的激光加热器, 可到 2英寸), 以及 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, AlGaInN, CIGS, OLED 等.

MBE-10

分子束外延 MBE-8

MBE-8 可以成长三寸以下的样品, 样品温度可以加到 900 摄氏度, 如果是两寸以下的样品可以到 1100 摄氏度. 可以装置 8个束源炉, 最大容量 40cc

分子束外延 MBE

脉冲激光沉积 PLD-18L

脉冲激光沉积设备 PLD-18L, 它可以与溅射枪, 积液池, 高压流变, 激光束控制相结合,可以放置 8×1 英寸的样品或 4×2 英寸的样品,

脉冲激光沉积 PLD-18L

磁控共溅镀设备 Co-Sputter

上海伯东代理的磁控共溅镀腔提供了精准控制多个磁控溅镀的制程条件, 加装美国 KRI 离子源, 为客户提供品质保证的复合式薄膜, 广泛应用于半导体, 纳米科技, 太阳能电池等行业以及氧化物, 氮化物和金属材料的研究等. 客制化基板尺寸, 最大直径可达12寸晶圆.

超高真空磁控溅镀设备 UHV Sputter

上海伯东代理超高真空磁控溅镀设备针对超高真空和高温加热设计的基板旋转镀膜机构, 使用陶瓷培林旋转, 并在内部做水冷, 来保护机构以确保长时间运转的稳定.

多层膜磁控溅镀设备 Multilayer sputter

上海伯东代理多层膜磁控溅镀设备 Multilayer sputter 拥有基板公自转机构, 搭配美国 KRI 离子源可实现精准的多层膜结构并可以一次批量生产.

连续式多腔磁控溅镀设备 In-Line sputter

上海伯东代理的连续式多腔磁控溅镀设备可精确控制其溅镀制程条件, 为客户提供最优质的薄膜, 广泛应用于纳米研究技术, 材料研究, 氧化物, 氮化物和金属材料的研究, 太阳能电池和触碰萤幕等行业.

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