电子束蒸发镀膜机 E-Beam

上海伯东代理各类电子束蒸镀, 溅射镀膜机, 蒸发镀膜机, ALD, PEALD, PECVD, OLED, MBE, E-beam 等设备, 满足研发和工业生产的高质量薄膜要求
电子束蒸镀, 溅射镀膜机, 蒸发镀膜机, ALD, PEALD, PECVD, OLED, MBE, E-beam

电子束蒸发系统为一种物理气相沉积 PVD 技术, 其中电子束是由钨丝所产生的, 并受到电场和磁场的驱动而朝向蒸发材料, 并将其材料由固态转化为气态以沉积在基板表面上. 且该过程需在高真空环境中, 以通过自由路径的方式在基板表面上形成薄膜.

电子束蒸发比热蒸发更具有优势. 它能够在非常高的温度下熔化材料, 如钨, 石墨...等等. 结合石英震荡片的反馈信号, 可轻松控制蒸发速率, 以调节电子束电流并蒸发更多材料而不会破坏真空. 因此, 电子束蒸发用于薄膜制程领域, 包括半导体, 光学, 太阳能电池板, 玻璃和建筑玻璃, 因此它们具有所需的导电, 反射, 透射和电子等特性.

上海伯东代理 SYSKEY 电子束蒸发镀膜设备 E-Beam Deposition Evaporation, 薄膜厚度和均匀度±3%, 可针对量产使用单一坩埚也可以有多个坩埚来达到产品多层膜结构, 电子束蒸镀设备可以结合美国 KRi 离子源进行离子辅助沉积或者预清洁等功能.

电子束蒸镀设备 E-beam Evaporation System

客制化的基板尺寸, 最大直径可达 12寸晶圆
单载片或多载片 (2” x 32个,4” x 16个,6” x 6个,8” x 4个)
薄膜厚度和均匀度小于 ±3%
腔体的极限真空度约为 10-8 Torr
适用于光学材料研究 ( LED / Laser Diode ), 光电元件, 半导体元件

超高真空电子束蒸镀设备 UHV E-beam Evaporation System

客制化的基板尺寸, 最大直径可达 8寸晶圆
薄膜均匀度小于 ±3%
腔体的极限真空度约为 10-10 Torr
腔体为使用金属密封圈并可烘烤至 150°C
适用于光学材料研究 ( LED / Laser Diode ), 光电元件, 半导体元件

剥离成形电子束蒸镀设备 Lift-Off E-beam Evaporation System

客制化的基板尺寸, 最大直径可达 12寸晶圆
薄膜均匀度 小于±3%
腔体的极限真空度约为 10-8 Torr
适用于 Lift-Off 制程

电子束蒸发镀膜机 E-Beam

 EBS-150
 真空度 5E-8 torr, 最大 8inch 样品

电子束蒸发

 EBS-150 UHV
 真空度 5E-10 torr, 最大 6inch 样品

 EBS-300 Dual
 真空度 5E-7 torr, 双 E-gun

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