上海 应用讯息
上海伯东 Hakuto 日本原装设计制造离子束刻蚀机 IBE (离子蚀刻机) 提供 4英寸, 6英寸, 8英寸干法, 纳米级别材料的表面刻蚀, 刻蚀均匀性 ≤±5%. 几乎满足所有材料的刻蚀. 例如磁性材料, 黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 广泛应用于 RF 射频器件, MEMS 传感器, 磁性器件 …, 满足研发和量产需要. IBE 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料.
离子刻蚀机 4IBE 离子刻蚀机 20IBE 全自动蚀刻机 MEL 3100
离子束刻蚀机 IBE 特性:
1. 干法刻蚀, 物理蚀刻, 纳米级别的刻蚀精度
2. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状
3. 基板直接加装在直接冷却装置上,可以在低温环境下蚀刻.
4. 配置公转自转传输机构 ”Dry Chuck Planet ”, 使得样品可以得到比较均匀平滑的表面. 刻蚀均匀性 ≤±5%
5. 几乎满足所有材料的刻蚀, IBE 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料
6. 配置德国 Pfeiffer 分子泵
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离子束刻蚀机 IBE 型号参数
上海伯东提供用于研究分析的小尺寸离子刻蚀机, 用于生产制造的大尺寸离子蚀刻机, 以及全自动刻蚀机. 满足研发和量产需求！
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型号 |
4IBE |
10IBE |
16IBE |
20IBE-J |
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样品数量尺寸 |
φ4”X 1 |
φ4” X1 |
φ8” X1 |
φ6”X1 |
φ3” X8 |
φ4” X12 |
φ3” -φ6”X1 |
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离子束入射角度 |
0～± 90 |
0～± 90 |
0～± 90 |
0～± 90 |
0～± 90 |
0～± 90 |
- |
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考夫曼型 |
考夫曼型 |
考夫曼型 |
考夫曼型 |
考夫曼型 |
考夫曼型 |
- |
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极限真空度 Pa |
≦1x10-4 |
≦1x10-4 |
≦1x10-4 |
≦1x10-4 |
≦1x10-4 |
≦1x10-4 |
≦8x10-5 |
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均匀性 |
≤±5% |
≤±5% |
≤±5% |
≤±5% |
≤±5% |
≤±5% |
≤±5% |
上海伯东日本原装进口离子束刻蚀机推荐应用:
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类别 |
器件 |
刻蚀材料 |
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磁性器件 |
自旋电子: MR / AMR / GMR / TMR, MRAM, HDD |
Ni-Fe, Ni-Co, TiO2, BST, Co-Fe, Ta, Cu, Ni-Mo, SiO2 等等… |
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传感器 MEMS |
铂热电阻, 流量计, 红外传感器, 压电打印机头等 |
PT, PZT, Au, Pt, W, Ta (electrode) 等等… |
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RF 射频器件 |
射频滤波器, GaAs / GaN HEMT 等 |
Au, Pt, Ti, Ru, Cr, LN (LiNbO3) 等 |
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光电子 |
激光二极管, 光电探测器, 薄膜分装等 |
Au, Pt, Ti, TaN, GaN 等 |
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其他 |
探针卡, 薄膜片式电阻器, 氧化物, 超导等 |
NiCr, Cr, Cu, Pd, Ir, LuFe2O4, SrTiO4, MgOHfO2 等 |
自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套离子刻蚀机. 刻蚀机配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵. 伯东公司超过 50年的离子束刻蚀市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术! 上海伯东也是美国 KRi 离子源中国总代理, KRi 离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺.
若您需要进一步的了解离子束刻蚀机 IBE 详细信息, 请参考以下联络方式
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