超高真空磁控溅镀设备 UHV Sputter
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超高真空磁控溅镀设备 UHV Sputter

上海伯东代理超高真空磁控溅镀设备 UHV Sputter
超高真空环境的特征为其真空压力低于 10-8 至 10-12托, 超高真空环境对于科学研究非常重要, 因实验通常要求在整个过程中, 表面应保持无污染状态并可使用较低能量的电子和离子的实验技术使用, 而不会受到气相散射的干扰并可以在这样超高真空环境下使用溅镀系统以提供高质量的薄膜.

上海伯东代理超高真空磁控溅镀设备 UHV Sputter 广泛应用于半导体, 纳米科技, 太阳能电池,科研等行业, 氧化物, 氮化物和金屬材料的研究等.

超高真空磁控溅镀设备配置和优点
客制化基板尺寸, 最大直径可达 12寸晶圆
优异的薄膜均匀度小于±3%
磁控溅镀源(最多8个源), 靶材尺寸多种可选
具有顺序操作或共沉积的多个溅镀源
射频, 直流或脉冲直流, 分别用于非导电与导电靶材
精准流量控制器(最多4条气体管线)
基板可加热到 1000°C
基材到靶材的间距可调节
每个溅镀源和基板均安装遮板

超高真空磁控溅镀设备 UHV Sputter

上海伯东代理超高真空磁控溅镀设备针对超高真空和高温加热设计的基板旋转镀膜机构, 使用陶瓷培林旋转, 并在内部做水冷, 来保护机构以确保长时间运转的稳定.

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上海伯东超高真空磁控溅镀设备选件
超高真空磁控溅镀设备可以与传送腔, 机械手臂和手套箱整合在一起, 配备美国 KRI 离子源, 热蒸发源, 电子束. 基板可用射频或直流偏压, 射频等离子清洁用于基材, 搭配使用膜厚监测仪, OES、RGA 或制程监控的额外备用端口.

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