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KRi 直流磁控溅射电源应用于金属靶材溅射
对于导电性能良好的金属材料, 一般直流磁控溅射电源是较为合适的选择, 上海伯东美国 KRi 直流磁控溅射电源电弧抑制优势, 稳定的控制磁控溅射阴极, 减少基材和目标的损坏, 增加沉积时间. 适用于金属靶材溅射.
金属靶材溅射过程电弧抑制应用
3" Ф 磁控管阴极, 反应溅射铝金属靶: Ar / 02 气体混合物
KRi 直流磁控溅射电源消弧技术:
弧检测 <100 nsec 弧线检测
电弧处理参数可调: 弧后检测延迟时间, 重新启动前弧后检测输出关闭时间
最小电弧能量:< 1mJ, 减少基材和目标损坏, 减少粒子生成, 增加沉积时间
弧度计数器: 目标条件和工艺环境的指示
KRi 直流磁控溅射电源应用于金属靶材溅射
金属靶材溅射是一种应用于材料制备和表面处理的工艺, 电源不仅影响溅射效率, 还直接关系到溅射过程的稳定性和产品质量. 上海伯东美国 KRi 离子源多年研发和生产经验, 为各类溅射镀膜机提供合适的直流溅射电源和镀膜离子源.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
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