KRI 离子源应用于超高真空电子束蒸镀设备 UHV E-beam System

KRI 离子源应用于超高真空电子束蒸镀设备 UHV E-beam System
超高真空环境的特征为其真空压力低于 10-8 至 10-12 torr, 超高真空环境对于科学研究非常重要, 因为实验通常要求在整个实验过程中, 表面应保持无污染状态和使用低能电子和离子的实验技术的使用, 而不会受到气相散射的过度干扰, 在这样超高真空环境下使用电子束蒸镀可以提供高质量的薄膜. 上海伯东代理美国 KRI 考夫曼离子源可以在蒸镀过程中实现预清洁和辅助镀膜的作用.
KRI 离子源应用于超高真空电子束蒸镀设备
KRI 离子源应用于超高真空电子束蒸镀设备
如上图是超高真空电子束蒸镀设备, 针对超高真空和高温加热设计基板旋转镀膜机构, 使用陶瓷培林旋转, 并在内部做水冷循环来保护机构以确保长时间运转的稳定性.

上海伯东美国 KRI 射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 射频源 RFICP  系列提供完整的套装, 套装包含离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动控制器等. 射频离子源适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 有效改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等.
射频离子源

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