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IBE 离子束刻蚀机刻蚀应用
上海伯东提供 4-8寸 IBE 离子束刻蚀机, 可以实现 ICP 或 RIE 无法进行的刻蚀, 几乎满足所有材料的刻蚀. 例如磁性材料, 黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料. IBE 离子束刻蚀机离子束角度可以 ±90°任意调整, 刻蚀可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状, 刻蚀均匀性 ≤±5%(部分材料 ±3%).
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IBE 离子束刻蚀机主要研发应用
光栅刻蚀: 闪耀光栅, 斜齿光栅, 平行光栅等刻蚀 ( VR, AR 光学镜片组件)
薄膜刻蚀: Pt, Au 涂层为主的功率器件
硅光刻蚀
MEMS 传感器刻蚀
自旋电子研究
上海伯东 IBE 离子束刻蚀机典型客户应用案例
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应用 |
衬底材料 |
刻蚀材料 |
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薄膜衬底 (Submounts) |
Al2O3 |
Ti / Pt / Au |
电极 Electrode |
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TaN |
电阻材料 |
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薄膜组件 |
Al2O3 |
Ti / Pt / Au |
电极 Electrode |
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应变传感器 |
Glass |
NiCr |
电阻材料 |
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红外传感器 |
GaAs, GaN |
Au, Pt, +α |
电极 Electrode |
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磁传感器 |
Glass, Al2O3 |
Cu |
线圈 Coil |
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Ni-Mo |
磁层 Magnetic Layer |
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Au |
电极 Electrode |
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射频线圈 |
Al2O3 |
Cu |
线圈 Coil |
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TaN |
Resistance Element |
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射频器件 |
SiC |
Au |
电极 Electrode |
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铂薄膜热传感器 |
Al2O3 |
Pt |
电阻材料 |
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LD, LED |
GaN |
GaN |
LD |
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GaAs |
Ti / Pt / Au +α |
电极 Electrode |
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Si |
Ti / Mo / Ti / Au |
电极 Electrode |
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LN 调制器 |
LN(LiNbO3) |
LiNbO3 /SiOx |
光波导 |
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MEMS |
Si, LN, LT |
LN etc.. |
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硅光台 |
Si |
Ti / Pt / Au |
电极 Electrode |
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气体传感器 |
Si |
Ta2O5, Pt |
电极 Electrode |
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薄膜组件 |
AlN |
Ti / Pt / Au |
电极 Electrode |
自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套离子刻蚀机. 刻蚀机配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵. 伯东公司超过 50年的 IBE 离子束刻蚀市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术!
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