硬X射线光电子能谱仪 HAXPES
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硬X射线光电子能谱仪 HAXPES

硬X射线光电子能谱仪 HAXPES
上海伯东代理的硬X射线光电子能谱仪 PHI GENESIS 900, 与传统的 XPS(软X射线光电子能谱)相比, HAXPES 具有更深的探测深度, 通常可达约 30nm, 适用于多层薄膜, 半导体光电器件等样品的无损深度分析.

什么是硬 X射线光电子能谱 HAXPES
硬X射线光电子能谱 HAXPES 是一种先进的表面分析技术, 主要用于研究固体样品的表面电子结构和化学态. HAXPES 利用高能 X射线(例如 CrKα射线, 能量为 5414.7eV)激发样品表面的电子. 通过测量这些电子的能量分布, 能够获得关于样品表面的化学成分和电子结构的详细信息. 与传统的 XPS(软X射线光电子能谱)相比, HAXPES 具有更深的探测深度, 通常可达约 30nm, 适用于多层薄膜, 半导体光电器件等样品的无损深度分析.

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