上海 ULVAC-PHI 爱发科费恩斯
上海伯东代理 ULVAC-PHI 爱发科费恩斯超高真空表面分析仪器, 包含光电子能谱仪 ( XPS ) ,俄歇电子能谱仪 (AES), 飞行时间二次离子质谱仪 (Tof-SIMS) 和动态二次离子质谱仪 (D-SIMS ), 应用领域涵盖纳米技术, 太阳能技术, 微电子技术, 存储介质, 催化, 生物材料, 药品以及金属, 矿物, 聚合物, 复合材料和涂料等基础材料, 满足科学研究, 失效分析, 产品质量检测等需要.
光电子能谱仪 PHI GENESIS 500
光电子能谱仪 PHI GENESIS 500 适用于科学研究和高科技产业等领域, 包含电池, 半导体,光伏, 新能源, 有机器件, 纳米颗粒, 催化剂, 金属材料, 聚合物, 陶瓷等固体材料及器件领域.
硬 X射线光电子能谱仪 GENESIS 900
硬X射线光电子能谱仪 PHI GENESIS 900, 与传统的 XPS（软X射线光电子能谱）相比, HAXPES 具有更深的探测深度, 通常可达约 30nm, 适用于多层薄膜, 半导体光电器件等样品的无损深度分析. 可聚焦≤ 5µm 的微区 X 射线束斑
飞行时间二次离子质谱仪 PHI nanoTOF 3+
PHI nanoTOF 3+ 性能指标（用Bi3++初次离子源）
低质量数质量分辨率: ≥ 15,000 m/Δm at m/z = 28Si+ on silicon wafer
绝缘样品质量分辨率: ≥ 15,000 m/Δm at m/z = C7H4O+ on the polymer PET
最小数斑尺寸: 50nm (最小脉冲束斑直径)
0.5um (在高质量分辨率条件下的最小脉冲束斑直径）
动态二次离子质谱仪 ADEPT-1010
动态二次离子质谱仪 ADEPT-1010 专为浅层半导体注入和绝缘薄膜的自动分析而设计, 是大多数半导体开发和支持实验室的常用工具. 通过优化的二次离子收集光学系统和超高真空设计, 提供了薄膜结构检测中的掺杂组分和常见杂质所需的灵敏度.
